1.Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体起施主作用的缺陷是()。 A.正高子填隙 B.正离子缺位 C.负离子填隙

例1室温下,本征锗的电阻率为472cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每10° 个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原 子的浓度为4.4×102cm3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设“=3600cm2V.s,且 认为不随掺杂而变化

例1.有一硅样品,施主浓度为D=2,受主浓度为=10cm,已知 施主电离能△ED=E-E=0.05eV,试求99%的施主杂质电离时的温度。 思路与解:令N和NA表示电离施主和电离受主的浓度,则电中性方程为:

例1.半导体硅单晶的介电常数=11.8,电子和空穴的有效质量各为n=0.97m, mm=0.19m和mp=0.16m,mp=0.53m。,利用类氢模型估计: (1)施主和受主电离能 (2)基态电子轨道半径

例1.证明对于能带中的电子,K状态和K状态的电子速度大小相等,方向相反。即: v(k)=-v(-k),并解释为什么无外场时,晶体总电流等于零 思路与解:K状态电子的速度为 v(k)= 同理,一K状态电子的速度则为

一、选择填空(含多项选择) 1.与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量() A.比半导体的大B.比半导体的小C.与半导体的相等

15-16如图15-16所示,两相干波源分别在P、Q两点处,它们发出频 率为v、波长为,初相相同的两列相干波设PQ=312,R为PQ连线上的一 点求:(1)自P、Q发出的两列波在R处的相位差;(2)两波在R处涉时的合 振幅

15-5波源作简谐运动,周期为0.02s,若该振动以100ms的速度沿直 线传播,设t=0时,波源处的质点经平衡位置向正方向运动,求:(1)距波源 15.0m和5.0m两处质点的运动方程和初相(2)距波源为16.0m和17.0m 的两质点间的相位差

15-4已知一波动方程为y=(0.05m)in[(10s-)t-(2m-1)x].(1 求波长、频率、波速和周期;(2)说明x=0时方程的意义,并作图表示

15-1频率为v=1.25×104H的平面简谐纵波沿细长的金属棒传播,棒 的弹性模量为E=1.90×10N·m2,棒的密度p=7.6×103kgm-3.求该纵 波的波长