本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质

对于中规模、大规模和某些VLSI的IC，前面介绍的基本光刻工艺完全适用，然而 ，对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代，某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括：光学设备的物理局限；光刻胶分辨率的限制；晶园表面的反射现象和高低不平现象等

1. 解释掺杂在芯片制造过程中的目的和应用； 2. 讨论杂质扩散的原理和过程； 3. 对离子注入有一个总体认识，包括它的优缺点； 4. 讨论剂量和射程在离子注入中的重要性； 5. 列举并描述离子注入机的5各主要子系统； 6. 解释离子注入中的退火效应和沟道效应； 7. 描述离子注入的各种应用

6.3.1 集成锁相环路 6.3.2 锁相环在解调和锁相接收机中的应用 6.3.3 锁相环在频率合成器中的应用

6.2.1 基本环路方程 6.2.2 捕捉过程的定性讨论 6.2.3 跟踪特性

6.1.1 自动电平控制电路 6.1.2 自动频率控制电路 6.1.3 自动相位控制电路(锁相环路)

5.4.1 数字信号的再生 5.4.2 数字调相与解调电路 5.4.3 数字调频与解调电路

5.3.1 限幅鉴频实现方法概述 5.3.2 斜率鉴频电路 5.3.3 相位鉴频电路

5.2.1 调频电路概述 5.2.2 直接调频 5.2.3 张弛振荡电路实现直接调频 5.2.4 间接调频电路——调相电路 5.2.5 扩展最大频偏的方法

5.1.1 调频信号和调相信号 5.1.2 调角信号的频谱 5.1.3 调角信号的频谱宽度 5.1.4 小结