华中科技大学：《模拟电子技术》教学资源（一）6.0 集成运算放大器——集成电路的类型和特点

华中科技大学：《模拟电子技术》教学资源（一）3 半导体三极管及放大电路基础

华中科技大学：《模拟电子技术》教学资源（一）2.5 半导体二极管及其基本电路——特殊二极管

2.4.1 二极管V- I 特性的建模 2.4.2 应用举例 2.4.0 非线性元件的认识

2.3.1 半导体二极管的结构 2.3.2 二极管的伏安特性 2.3.3 二极管的参数

• 直流偏置电路 • 静态工作点 • FET小信号模型 • 动态指标分析 • 三种基本放大电路的性能比较 4.4.1 FET的直流偏置及静态分析 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法

4.3.1 N沟道增强型MOSFET(EMOS) 4.3.3 各种FET的特性及使用注意事项 4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET(DMOS) • 特性曲线及参数 • 结构 • 工作原理

华中科技大学：《模拟电子技术》教学资源（一）4.2 场效应管放大电路——砷化镓金属-半导体场效应管

• 结构 • 工作原理 • 输出特性 • 转移特性 • 主要参数 4.1.1 JFET的结构和工作原理 4.1.2 JFET的特性曲线及参数

2.2.1 PN结的形成－》 2.2.2 PN结的单向导电性－》 2.2.3 PN结的反向击穿－》 2.2.4 PN结的电容效应－》 2.2 PN结的形成及特性