微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

在这一章中,将解释污染对器件工艺、器件 性能和器件可靠性的影响,以及芯片生产区域存 在的污染类型和主要的污染源。同时也简要介绍 洁净室规划、主要的污染控制方法和晶片表面的 清洗工艺等 5.2污染类型 微粒金属离子化学物质细菌 ·微粒器件对污染物的敏感度取决于特征图形的 尺寸和晶体表面沉积层的厚度。由于特征图形尺 寸越来越小,膜层厚度越来越薄,所允许存在的 微粒尺寸也必须控制在更小的尺度上

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

在这一章里,主要介绍沙子转变成晶体, 以及晶园和用于芯片制造级的抛光片的生产步 骤。 高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的 晶园,最早使用的是1英寸,而现在300mm直 径的晶园已经投入生产线了。因为晶园直径越 大,单个芯片的生产成本就越低。然而,直径 , 越大,晶体结构上和电学性能的一致性就越难 以保证,这正是对晶园生产的一个挑战

概述 硅表面SiO2的简单实现,是硅材料被广泛 应用的一个重要因素。本章中,将介绍SiO2的 生长工艺及用途、氧化反应的不同方法,其中 包括快速热氧化工艺。另外,还简单介绍本工 艺中最重要的部分--反应炉,因为它是氧化 、扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设 备

第一章 绪论 第二章 逻辑代数基础 第三章 逻辑门电路 第四章 集成触发器 第五章 脉冲信号的产生与整形 第六章 组合逻辑电路 第七章 时序逻辑电路 第八章 数模和模数转换器 第九章 半导体存储器

课堂讨论一重点发言同学 一、高通滤波器:300211 二、输入回路:300212 三、高频放大器:30021307 四、混频器:300214 五、本机振荡器:30022716

本章主要介绍相千光纤通信系统,光纤的非线性效应及光弧子通信,光交换技术和全光通信网,以便使读者对光纤通信的发展有初步的认识。 9.1相千光纤通信系统 9.2光纤的非线性效应及光弧子通信 9.3光交换技术和全光通信网

第八章波分复用技术 8.1多信道复用技术 8.2波分复用原理 8.3光发送部分和光接收部分 8.4波分复用器 8.5掺铒光纤放大器(EDFA) 8.6WDM设计中考虑的重要问题

第七章光纤通信系统 7.2光纤通信的线路码型 7.1数字光纤通信系统 7.3光纤通信系统的性能指标 7.4光纤损耗和色散对系统的限制 7.5光纤局域网 7.6光同步传输网 7.7光纤通信系统设计 7.8光纤通信系统工程