如:1024个基本单元电路可以组成字结构形式, 构成128个字单元,“:128*8=1024。 D7 D6 D5 D4 D3 D2 DI DO Di 7FH■■■■■■■□ 3FFH□ 如:1024基本单元电路也可组成位 结构形式,构成1024个字的某一位
如：1024个基本单元电路可以组成字结构形式， 构成128个字单元, ∵ 128*8=1024。 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 Di 0 0 1 1 . . . · . . . · . . . · 7FH 3FFH 如：1024基本单元电路也可组成位 结构形式，构成1024个字的某一位
★采用字结构方式制作的芯片,选中某一单元时,则该 单元的各位信息可以从一个芯片中同时读出;但封装引线 较多,如上述128个字则需(27=128)7根AB,8根DB线 ★采用位结构方式制作的芯片,选中某一单元时, 则该单元的某一位可以从一个芯片上读出,这一位信 息还要和其它的7个芯片上读出的信息组合在一起才能 得到一个字的全部信息;但封装引线较少,如上述 1024个单元需(210=1024)10根AB和1根DB线
★ 采用字结构方式制作的芯片，选中某一单元时，则该 单元的各位信息可以从一个芯片中同时读出；但封装引线 较多，如上述128个字则需（2 7＝128）7根AB，8根DB线。 ★ 采用位结构方式制作的芯片，选中某一单元 时， 则该单元的某一位可以从一个芯片上读 出，这一位信 息还要和其它的7个芯片上读 出的信息组合在一起才能 得到一个字的全部 信息；但封装引线较少，如上述 1024个单元 需（2 10＝1024）10根AB和1根DB线
常用静态RAM→>有1位,4位,8位等不 同结构。 SRAM→2114,6116,6264,62128,62256 例:2114→1K米4 A6—1 18 Vcc 引脚名称 A5 A7A0-A9地址输入10根 A4- A8D0-D3数据输入/输出4位 A3 A9 CS片选 a0- 2114 D0WE写允许 Al DI A2 D2 - D3 GND 10 WE
二．常用静态RAM→有1位，4位，8位等不 同结构。 SRAM→2114，6116，6264，62128，62256 例：2114→1K*4 A6—— 1 18 ——VCC 引脚名称 A5—— ——A7 A0-A9 地址输入10根 A4—— ——A8 D0-D3数据输入/输出4位 A3—— ——A9 CS片选 A0—— 2114 ——D0 WE写允许 A1—— ——D1 A2—— ——D2 CS—— ——D3 GND—— 9 10 ——WE
1K*4=4096个基本元电路,用10根AB线对其进行译 码寻址1K的单元。 内部有二组三态门和D线相连,由CS和w一起控制 这些三态门。 内部 RD WE &
• 1K*4=4096个基本元电路，用10根AB线对其进行译 码寻址1K的单元。 • 内部有二组三态门和Di线相连，由CS和WE一起控制 这些三态门
例、61162K*8 A7 24 vcc 引脚功能 A6 a8 A5 A9D0一D78位数据输入/输出 A4- We A3 - OE A0A10地址输入,11位 A2 6116 A10 Al -Ce CE片选(芯片允许) AO d7 DO D6 WE写允许 DI d5 D2 d4 OE输出允许 GND- 12 13 d3 般RAM都有这三个控制端
例﹑6116——2K*8 A7—— 1 24 ——VCC 引脚功能 A6—— ——A8 A5—— ——A9 D0－D7 8位数据输入／输出 A4—— ——WE A3—— ——OE A0-A10地址输入 ,11位 A2—— 6116 ——A10 A1—— ——CE CE 片选（芯片允许） A0—— ——D7 D0—— ——D6 WE 写允许 D1—— ——D5 D2—— ——D4 OE 输出允许 GND—— 12 13 ——D3 一般RAM都有这三个控制端