输出特性曲线 (1)截止区(夹断区) 可变电阻区 d/ mA s<Vr以下区域就是截止区 VGSS VI ID=O 7GS=6V 击穿区 (2)放大区(恒流区) 恒流区 GS =5 产生夹断后,V增大,I不变的 :VGs=4V/VGs=3v 区域,|Vs-VDs|≥|Vp GS(th)=2V V个→ID不变 5101520 DS 处于恒流区的场效应管相当于 个压控电流源 (3)饱和区(可变电阻区) 未产生夹断时,Vs增大,Ib随着增大的区域 Ves-VDs|≤|vp Vns个→Ln个 处于饱和区的场效应管相当于一个压控可变电阻
输出特性曲线 vDS /V iD (1) 截止区（夹断区） VGS< VT以下区域就是截止区 VGS VT ID=0 (2) 放大区（恒流区） 产生夹断后，VDS增大，ID不变的 区域，VGS -VDS VP VDS→ID不变 处于恒流区的场效应管相当于一 个压控电流源 (3)饱和区（可变电阻区） 未产生夹断时，VDS增大，ID随着增大的区域 VGS -VDS VP VDS→ID 处于饱和区的场效应管相当于一个压控可变电阻
4.其它类型MOS管 (T)N沟道耗尽型:N沟道耗尽 G 型 MOSFET的结构和符号如图所 示,制造时在栅极下方的绝缘层 中掺入了大量的金属正离子。所团邮 在感应出反型层,在漏源之的的习 以当Vs=0时,这些正离子已经 成了沟道。于是只要有漏源电压, p衬底 就有漏极电流存在。 D D +2V B GS =OV DSS 5V O GS O DS
4.其它类型MOS管 （1）N沟道耗尽型： N沟道耗尽 型MOSFET的结构和符号如图所 示，制造时在栅极下方的绝缘层 中掺入了大量的金属正离子。所 以当VGS=0时，这些正离子已经 在感应出反型层，在漏源之间形 成了沟道。于是只要有漏源电压， 就有漏极电流存在
各种类型MOS管的特性曲线 N ID D 8 道增强 G GS =6V 4 绝缘栅场效应 21 型 o +2V DS P 管道8 GS =-6V 增强型 2乙VesO
各种类型MOS管的特性曲线 绝缘栅场效应管 N沟道增强型P沟道增强型
各种类型MOS管的特性曲线 D 沟 +2V 道 Vcs =ov 绝|耗|」 缘栅场效应管 尽型 5 VGS D 道耗尽型 GS G DSS +5V +5V
各种类型MOS管的特性曲线 绝缘栅场效应管 N沟道耗尽型P沟道耗尽型
5.场效应管的主要参数 (1)开启电压Vr:在VDs为一固定数值时,能产生L所需要的 最小ⅣGs|值。(增强) (2)夹断电压Vp:在ⅤDs为一固定数值时,使I对应一微小电流 时的Gs|值。(耗尽) (3)饱和漏极电流IDs:在Vs=0时,VDs>ⅣP时的漏 极电流。(耗尽) (4)极间电容:漏源电容CD约为0.1~lpF,栅源电容Cs和栅 漏极电容CcD约为1~3pF
5. 场效应管的主要参数 (1) 开启电压VT ：在VDS为一固定数值时，能产生ID所需要的 最小 |VGS | 值。（增强） (2) 夹断电压VP ：在VDS为一固定数值时，使 ID对应一微小电流 时的 |VGS | 值。（耗尽） (3) 饱和漏极电流IDSS ：在VGS = 0时， VDS > |VP |时的漏 极电流。（耗尽） (4) 极间电容：漏源电容CDS约为 0.1~1pF，栅源电容CGS和栅 漏极电容CGD约为1~3pF