第四章 晶体管及其小信号放大(1) 电子电路基础
1 第四章 晶体管及其小信号放大(1) 电子电路基础
§1双极型晶体管(BJT) §11基本结构 NPN型 C集电极集电极CPNP型 集电结 B B 基极 基极 P 发射结 E 发射极 发射极
2 §1 双极型晶体管（BJT） § 1.1 基本结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 发射结 集电结
制造工艺上的特点 集电区: C°集电极 面积较大 基区:较薄 B P 掺杂浓度低 基极 发射区:掺 杂浓度较高 发射极
3 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄， 掺杂浓度低 集电区： 面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 制造工艺上的特点
NPN型 PNP型 电路 符号 b+两种类型的三极管b
4 电路 符号 两种类型的三极管
§12鹛的电流分配与放大原理 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下,通 过载流子传输体现出来的。 (1)工作在放大状态的外部条件 发射结正偏,集电结反偏。 (2)三种组态 共发射极接法、共集电极接法、共基极接法 lE b CE CB CC 5
5 § 1.2 BJT的电流分配与放大原理 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通 过载流子传输体现出来的。 （1）工作在放大状态的外部条件： 发射结正偏，集电结反偏。 （2）三种组态 共发射极接法、共集电极接法、共基极接法