第四章 晶体管及其小信号放大 场效应管放大电路 电子电路基础
1 第四章 晶体管及其小信号放大 －场效应管放大电路 电子电路基础
§4场效应晶体管及场效应管放大电路 §41场效应晶体管(FET) N沟道 JFET (耗尽型) 结型 沟道 FET N沟道 场效应管 增强型 MOSFET P沟道 (GFET 绝缘棚型(耗尽型〔N沟道 P沟道
2 §4 场效应晶体管及场效应管放大电路 §4.1 场效应晶体管(FET) N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET)
§4.1.1结型场效应管 结 栅极,用G 漏极,用 源极,用S或s表或g表示 D或d表示 D N型导电沟道 符号 N P沟道 P型区
3 一、结构 § 4.1.1 结型场效应管 源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用 D或d表示 P型区 栅极，用G 或g表示 栅极，用G 或g表示 符号
二、原理(以N沟道为例) U<O Uncov PN结反偏 Us越大则耗 D 尽区越宽,导 电沟道越窄。 N G GS
4 1 UGS<0, UDS=0V PN结反偏， |UGS|越大则耗 尽区越宽，导 电沟道越窄。 二、工作原理（以N沟道为例）
Uds越大耗尽区越宽, 沟道越窄,电阻越大。 G GS S但当Uos较小时,耗 尽区宽度有限,存在 导电沟道。DS间相当 于线性电阻
5 ID |UGS|越大耗尽区越宽， 沟道越窄，电阻越大。 但当|UGS|较小时，耗 尽区宽度有限，存在 导电沟道。DS间相当 于线性电阻