第章存储器和可编程逻辑器件 ③用ROM实现码组转换的阵列图及逻辑符号图分 图9-5(a)、(b)所示。 ww n w W.w. n WW。|W 地 B, 址与 译阵 码列 B D B 器 B2-42 4 BI AI ROM D n T B-40 列 存储矩阵 11 图9-5例9-1阵列图和逻辑符号图 (a)二进制码转为格雷码的阵列图;(6)逻辑符号图
第9章 存储器和可编程逻辑器件 ③ 用ROM实现码组转换的阵列图及逻辑符号图分别如 图 9-5(a)、 (b)所示。 图 9-5 例 9-1 (a) 二进制码转为格雷码的阵列图；(b) 逻辑符号图 1 B3 1 B2 1 B1 1 B0 W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 W1 0 W1 1 W1 2 W1 3 W1 4 W1 5 G2 G1 G0 G 存 3 储 矩 阵 或 阵 列 （ （ A3 A2 A1 A0 2×4 ROM 4 D3 D2 D1 D0 B3 B2 B1 B0 G3 G2 G1 G0 (a) (b) 地 址 译 码 器 与 阵 列 （ （
第章存储器和可编程逻辑器件 3ROM的编程及分类 ROM的编程是指将信息存入ROM的过程。根据编程和 擦除的方法不同,ROM可分为掩模ROM、可编程 ROM(PROM和可擦除的可编程ROM( EPROM)三种类型 1)掩模ROM 掩模ROM中存放的信息是由生产厂家采用掩模工艺专 门为用户制作的,这种ROM出厂时其内部存储的信息就已 经“固化”在里边了,所以也称固定ROM。它在使用时只 能读出,不能写入,因此通常只用来存放固定数据、固定 程序和函数表等
第9章 存储器和可编程逻辑器件 3. ROM ROM的编程是指将信息存入ROM的过程。根据编程和 擦 除 的 方 法 不 同 ， ROM 可 分 为 掩 模 ROM 、 可编程 ROM(PROM)和可擦除的可编程ROM(EPROM)三种类型。 1) 掩模ROM 掩模ROM中存放的信息是由生产厂家采用掩模工艺专 门为用户制作的，这种ROM出厂时其内部存储的信息就已 经“固化”在里边了，所以也称固定ROM。它在使用时只 能读出，不能写入，因此通常只用来存放固定数据、固定 程序和函数表等
第章存储器和可编程逻辑器件 2)可编程ROM(PROM) 个T PROM在出厂时,存储的内容为全0(或全1),用户根据 需要,可将某些单元改写为1(或0)。这种ROM采用熔丝或 PN结击穿的方法编程,由于熔丝烧断或PN结击穿后不能再恢 复,因此PROM只能改写一次 熔丝型PROM的存储矩阵中,每个存储单元都接有一个 存储管,但每个存储管的一个电极都通过一根易熔的金属丝 接到相应的位线上,如图9-6所示。用户对PROM编程是逐 字逐位进行的。首先通过字线和位线选择需要编程的存储单 元,然后通过规定宽度和幅度的脉冲电流,将该存储管的熔 丝熔断,这样就将该单元的内容改写了
第9章 存储器和可编程逻辑器件 2) 可编程ROM(PROM) PROM在出厂时，存储的内容为全 0(或全 1)，用户根据 需要，可将某些单元改写为 1(或 0)。 这种ROM采用熔丝或 PN结击穿的方法编程，由于熔丝烧断或PN结击穿后不能再恢 复， 因此PROM只能改写一次。 熔丝型PROM的存储矩阵中，每个存储单元都接有一个 存储管，但每个存储管的一个电极都通过一根易熔的金属丝 接到相应的位线上，如图 9-6 所示。用户对PROM编程是逐 字逐位进行的。首先通过字线和位线选择需要编程的存储单 元，然后通过规定宽度和幅度的脉冲电流，将该存储管的熔 丝熔断，这样就将该单元的内容改写了
第章存储器和可编程逻辑器件 个T 字线 字线 熔丝 位线 熔丝 位线 (b) 图9-6熔丝型PROM的存储单元
第9章 存储器和可编程逻辑器件 图 9-6 熔丝型PROM的存储单元 UCC 字 线 Wi 位 线 Di 熔 丝 (a) (b) 字 线 熔 丝 位 线
第章存储器和可编程逻辑器件 采用PN结击穿法PROM的存储单元原理图如图9-7(a) 所示,字线与位线相交处由两个肖特基二极管反向串联 而成。正常工作时二极管不导通,字线和位线断开,相 当于存储了“0〃。若将该单元改写为“1〃,可使用恒流 源产生约100~150mA电流使Ⅴ2击穿短路,存储单元只剩 下一个正向连接的二极管V1(见图(b),相当于该单元存 储了“1”;未击穿V2的单元仍存储“0
第9章 存储器和可编程逻辑器件 采用PN结击穿法PROM的存储单元原理图如图 9-7(a) 所示，字线与位线相交处由两个肖特基二极管反向串联 而成。正常工作时二极管不导通，字线和位线断开，相 当于存储了“0” 。若将该单元改写为“1” ，可使用恒流 源产生约 100~150 mA电流使V2击穿短路，存储单元只剩 下一个正向连接的二极管V1 (见图(b))，相当于该单元存 储了“1”；未击穿V2的单元仍存储“0”