第2章复写
(1-1) 第21章 复习
1.内容小结 数字信号在时间上和数值上均是离散的。用高电 平和低电平分别来表示逻辑1和逻辑0。 在数字电路中,半导体二极管、三极管一般都工 作在开关状态,即工作于导通(饱和)和截止两个 状态。 3.最简单的门电路是二极管与门、或门和三极管非 门。它们是集成逻辑门电路的基础。 4.逻辑运算中的三种基本运算是与、或、非运算。 5.常用的逻辑函数表示方法有真值表、函数表达 式、逻辑图等,它们之间可以任意地相互转换
(1-2) 1.内容小结 3．最简单的门电路是二极管与门、或门和三极管非 门。它们是集成逻辑门电路的基础。 1．数字信号在时间上和数值上均是离散的。用高电 平和低电平分别来表示逻辑1和逻辑0。 2．在数字电路中，半导体二极管、三极管一般都工 作在开关状态，即工作于导通（饱和）和截止两个 状态。 4．逻辑运算中的三种基本运算是与、或、非运算。 5．常用的逻辑函数表示方法有真值表、函数表达 式 、逻辑图等，它们之间可以任意地相互转换
6.普遍使用的数字集成电路,TL电路和M0S电路。 7.TL电路不仅提高了门电路的开关速度,也使电 路有较强的驱动负载的能力。除了有基本功能的, 还有集电极开路门和三态门。 8.M0S电路:一种是NMos门电路,另一类是0M0S门电 路。与TL门电路相比,它的优点是功耗低,扇出数 大,噪声容限大,开关速度与TL接近,已成为数字 集成电路的发展方向
(1-3) 6．普遍使用的数字集成电路，TTL电路和MOS电路。 7．TTL电路不仅提高了门电路的开关速度，也使电 路有较强的驱动负载的能力。除了有基本功能的， 还有集电极开路门和三态门。 8．MOS电路:一种是NMOS门电路，另一类是CMOS门电 路。与TTL门电路相比，它的优点是功耗低，扇出数 大，噪声容限大，开关速度与TTL接近，已成为数字 集成电路的发展方向
9.可用两种方法化简逻辑函数,公式法和卡诺图法。 公式法是用逻辑代数的基本公式与规则进行化简,必须 熟记基本公式和规则并具有一定的运算技巧和经验。 卡诺图法是基于合并相邻最小项的原理进行化简的,特 点是简单、直观,不易出错,有一定的步骤和方法可循。 0.组合逻辑电路的分析步骤为:写出各输出端的逻辑表 达式→化简和变换逻辑表达式→列出真值表→确定功能。 11.组合逻辑电路的设计步骤为:根据设计求列出 真值表→写出逻辑表达式(或填写卡诺图)→逻辑化 简和变换→画出逻辑图 12.常用的中规模组合逻辑器件包括编码器、译码器、 数据选择器、数值比较器、加法器等
(1-4) 9．可用两种方法化简逻辑函数，公式法和卡诺图法。 公式法是用逻辑代数的基本公式与规则进行化简，必须 熟记基本公式和规则并具有一定的运算技巧和经验。 卡诺图法是基于合并相邻最小项的原理进行化简的，特 点是简单、直观，不易出错，有一定的步骤和方法可循。 10．组合逻辑电路的分析步骤为：写出各输出端的逻辑表 达式→化简和变换逻辑表达式→列出真值表→确定功能。 11．组合逻辑电路的设计步骤为：根据设计求列出 真值表→写出逻辑表达式(或填写卡诺图) →逻辑化 简和变换→画出逻辑图 12.常用的中规模组合逻辑器件包括编码器、译码器、 数据选择器、数值比较器、加法器等
2例题及课后习题 例1.电路及参数如图所示,设输入电压V1=3V,三极管的 ug=0.7V.(1)若β=60,试判断三极管是否饱和并求出l和 v的值。 解:根据饱和条件IB>JB解题。 CC(+12V) 3-0.7 ≈0.023mA) 10k Q2 100 12 R BS ≈0.020(m4) BR60×10 100kg B BS 极管饱和 CC CS ≈12mA) R。10 V=Vn≈0.3V
(1-5) 解： 根据饱和条件IB＞IBS解题。 例 1.电 路及参 数如 图所示 ,设输 入电 压VI =3V, 三极管 的 UBE =0.7V.(1)若β＝60,试判断三极管是否饱和,并求出IC和 VO的值。 0.023( ) 100 3-0.7 I B = mA0.020( ) 60 10 12 mA C CC B S = = R V I ∵IB＞IBS ∴三极管饱和。 1.2( ) 10 12 mA C CC C = CS = = R V I I VO =VCES 0.3V + + +V － - 1 T 2 3 100kΩ R CC R V b I （ +12V） V C O 10kΩ 2 例题及课后习题