共模信号是无用的干扰或噪声信号。零漂信号便是一种 共模信号。 差动放大电路由于电路对称,当输入共模信号时, l=ua,三极管V和三极管V2各电量同时等量变化,输出端 uocl=uoc2,所以共模输出u。=uosr-ua2=0,表明差动电路对 共模信号无放大能力,这反映了差动电路抑制共模信号的能 力。 为了表示一个电路放大有用的差模信号和抑制无用的共 模信号的能力,引用了一个叫抑制比的指标 KCMRR,它定 义为 KCMRR (9-3) 其中,A为差模信号放大倍数,A为共模信号放大倍数 KCMRR对理想的差动放大电路为无穷大,对实际差动电路, KCMRR愈大愈好
共模信号是无用的干扰或噪声信号。零漂信号便是一种 共模信号。 差动放大电路由于电路对称，当输入共模信号时， uic1=uic2，三极管V1和三极管V2各电量同时等量变化，输出端 uoc1=uoc2，所以共模输出uoc=uoc1 -uoc2 =0，表明差动电路对 共模信号无放大能力，这反映了差动电路抑制共模信号的能 力。 为了表示一个电路放大有用的差模信号和抑制无用的共 模信号的能力，引用了一个叫抑制比的指标KCMRR，它定 义为 KCMRR= (9 -3) 其中, Ad为差模信号放大倍数，Ac为共模信号放大倍数 KCMRR对理想的差动放大电路为无穷大, 对实际差动电路， KCMRR愈大愈好。 c d A A
92集成电路基本知识 1959年美国德克萨斯仪器公司的仙童半导体公司成功地制 造了世界上第一块集成电路。40余年来,集成电路的制造技术 飞速发展。集成电路的发明,是电子技术发展史上的一个重要 里程碑 什么是集成电路 前面讲述的放大电路均是由彼此相互分开的三极管、二极 管、电阻、电容等元件,借助导线或印刷电路连接成的一个完 整的电路系统,称之为分立元件电路。 利用半导体三极管常用的硅平面工艺技术,把组成电路的 电阻、电容、二极管、三极管及连接导线同时制造在一小块硅 片上,便成为一块集成电路,其对外部完成某一电路的功能
9.2 集成电路基本知识 1959年美国德克萨斯仪器公司的仙童半导体公司成功地制 造了世界上第一块集成电路。40余年来，集成电路的制造技术 飞速发展。集成电路的发明，是电子技术发展史上的一个重要 里程碑。 一、什么是集成电路 前面讲述的放大电路均是由彼此相互分开的三极管、二极 管、电阻、电容等元件，借助导线或印刷电路连接成的一个完 整的电路系统，称之为分立元件电路。 利用半导体三极管常用的硅平面工艺技术，把组成电路的 电阻、电容、二极管、三极管及连接导线同时制造在一小块硅 片上，便成为一块集成电路，其对外部完成某一电路的功能
集成电路出现后,以其体积小、重量轻、可靠性高、组 装和调试工作量小等一系列优异性能,在科学技术各个部门 得到了普遍的推广使用。目前,各类集成电路已在计算机、 国防科技及仪器仪表、通讯、广播电视等领域广泛使用。 二、集成电路的结构特点 图9-3是半导体硅片集成电路放大了的剖面结构示意图 集成电路把小硅片电路及其引线封装在金属或塑料外壳内, 只露出外引线。 集成电路看上去是个器件,实际上又是个电路系统,它 把元器件和电路一体化了,单片计算机系统就是一个典型例 子。因此,集成电路又叫固体电路
集成电路出现后， 以其体积小、重量轻、可靠性高、组 装和调试工作量小等一系列优异性能，在科学技术各个部门 得到了普遍的推广使用。目前，各类集成电路已在计算机、 国防科技及仪器仪表、通讯、广播电视等领域广泛使用。 二、集成电路的结构特点 图 9 -3 是半导体硅片集成电路放大了的剖面结构示意图。 集成电路把小硅片电路及其引线封装在金属或塑料外壳内， 只露出外引线。 集成电路看上去是个器件，实际上又是个电路系统，它 把元器件和电路一体化了，单片计算机系统就是一个典型例 子。 因此，集成电路又叫固体电路
从图9-3集成电路剖面结构图来看,集成电路在结构上有 以下三个特点。 (1)使用电容较少,不用电感和高阻值电阻 在硅片上制成一个元件的成本与它在硅片上占据的面积成 正比。电感元件、较大阻值的电阻和高值电容都会占用较大面 积的硅片,因此,在集成电路中尽量较少使用电容元件,不用 电感和高阻值电阻 (2)大量使用三极管作为有源单元。 三极管占据单元面积小且成本低廉,所以在集成电路内部 用量最多。三极管单元除用作放大以外,还大量用作恒流源或 作为二极管、稳压管使用,如图9-3中的二极管V和V2
从图 9 -3 集成电路剖面结构图来看， 集成电路在结构上有 以下三个特点。 (1) 使用电容较少， 不用电感和高阻值电阻。 在硅片上制成一个元件的成本与它在硅片上占据的面积成 正比。电感元件、较大阻值的电阻和高值电容都会占用较大面 积的硅片，因此，在集成电路中尽量较少使用电容元件，不用 电感和高阻值电阻。 (2) 大量使用三极管作为有源单元。 三极管占据单元面积小且成本低廉，所以在集成电路内部 用量最多。三极管单元除用作放大以外，还大量用作恒流源或 作为二极管、稳压管使用，如图 9- 3 中的二极管V1和V2
PN结隔离槽二氧化硅绝缘 (元件间绝 铝电极(引线 点) N+扩散层 (发射区)三极管V1二极管V2二极管3 电阻R 电容C1·电容C + P 3影广WN N P N型外延 层(集电 P扩散层(基区) N+埋层 P扩散层P型硅片衬底N型外延层 (半导体电阻)(接最低电位)(结电容一极) 图9-3集成电路剖面结构示意图
图 9 –3 集成电路剖面结构示意图 N＋扩散层 (发射区) 三极管V1 二极管V2 二极管V3 电阻R 电容C1 电容C2 P N结隔离槽 (元件间绝 缘) 二氧化硅绝缘 层 铝电极(引线 点) N型外延 层(集电 区) P扩散层(基区) N＋埋层 P扩散层 (半导体电阻) P型硅片衬底 (接最低电位) N型外延层 (结电容一极) P P