由出备我 第10章电子电路中常用的元件 103二极管 10.3.1二极管的结构 10.32二极管的伏安特性 10.33二极管的主要参数 10.3.4二极管电路的分析 回國
10.3 二极管 10.3.1 二极管的结构 10.3.2 二极管的伏安特性 10.3.3 二极管的主要参数 10.3.4 二极管电路的分析
由三由资效 第10章电子电路中常用的元件 10.31二极管的结构 构成:PN结+引线+管壳=二极管 iode 符号: 饼 分类: 按材料分/娃二极管 点接触型 按结构分{面接触型 锗二极管 平面型 铝合金正极引线 正极负极 正极N型锗片负极小球 引线引线 引线 引线 PN结 N型锗金锑 合金 外壳触丝负极引线 P型支持衬底 底座 点接触型 面接触型 集成电路电形再型
10.3.1 二极管的结构 构成： PN结 + 引线 + 管壳 = 二极管 (Diode) 符号： 分类： 按材料分 硅二极管 锗二极管 按结构分 点接触型 面接触型 点接触型 正极 引线 触丝 N型锗片 外壳 负极 引线 负极引线 面接触型 N型锗 PN结 铝合金 正极引线 小球 底座 金锑 合金 平面型 正极 引线 负极 引线 集成电路中平面型 p N P型支持衬底
整流二极管 型号:2CP4 主 符号:
由三由效 第10章电子电路中常用的元件 1032二极管的伏安特性 击穿 电压 /mA 0<U<Uth ip=0 正向特性 U(BR) Ut2=0.5V(硅管) 反/反向特性 0.1V(锗管) 向击穿 死反U>勿急剧上升 电压 U(BR<U<0ib<0.1A(硅)几十A(锗) U<U(B)反向电流急剧增大(反向击穿) 回國
10.3.2 二极管的伏安特性 O uD /V iD /mA 正向特性 Uth 死区 电压 iD = 0 Uth = 0.5 V 0.1 V (硅管) (锗管) U Uth iD 急剧上升 0 U Uth 反向特性 U (BR) 反 向 击 穿 U（BR) U 0 iD < 0.1 A(硅) 几十A (锗) U < U（BR） 反向电流急剧增大 (反向击穿) 击穿 电压
由出备我 第10章电子电路中常用的元件 反向击穿类型: 电击穿一PN结未损坏,断电即恢复 热击穿一PN结烧毁。 反向击穿原因: 齐纳击穿:反向电场太强,将电子强行拉出共价键 雪崩击穿:反向电场使电子加速,动能增大,撞击 使自由电子数突增。 回國
反向击穿类型： 电击穿 热击穿 反向击穿原因： 齐纳击穿：反向电场太强，将电子强行拉出共价键。 雪崩击穿：反向电场使电子加速，动能增大，撞击 使自由电子数突增。 — PN结未损坏，断电即恢复。 — PN结烧毁