由出备我 第10章电子电路中常用的元件 106晶体管 10.6.1晶体管的基本结构 10.62电流分配和电流放大作用 10.63特性曲线 10.64主要参数 回國
10.6 晶体管 10.6.1 晶体管的基本结构 10.6.2 电流分配和电流放大作用 10.6.3 特性曲线 10.6.4 主要参数
由出备我 第10章电子电路中常用的元件 10.61晶体管的基本结构 晶体管(三极管)是最重要的一种半导体器件 部分三极管的外型 回國
10.6.1 晶体管的基本结构 晶体管（三极管）是最重要的一种半导体器件。 部分三极管的外型
由出备我 第10章电子电路中常用的元件 结构 B E 二氧化硅 E 保护膜 铟球 N型硅 N型锗 P型硅 B N型硅 铟球 C C (a)平面型 (b)合金型 回國
一、结构 N型硅 B E C N型硅 P型硅 （a） 平面型 二氧化硅 保护膜 N型锗 E C B P P （b）合金型 铟球 铟球
由出备我 第10章电子电路中常用的元件 三层半导体材料构成NPN型、PNP型 collector 集电极C N7一集电区各区主要作用及结构特点: 集电结发射区:作用:发射载流子 基极B 基区 发射结 特点:掺杂浓度高 ase 发射区 基区:作用:传输载流子 发射极E emitter 特点:薄、掺杂浓度低 C 集电区:作用:接收载流子 B 特点:面积大 NPN型 E 回國
三层半导体材料构成NPN型、PNP型 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 E C B 各区主要作用及结构特点： 发射区：作用：发射载流子 特点：掺杂浓度高 基区：作用：传输载流子 特点：薄、掺杂浓度低 集电区：作用：接收载流子 特点：面积大
由出备我 第10章电子电路中常用的元件 类型 按材料分: 硅管、锗管 B 按结构分: NPN、PNP 按使用频率分: E 低频管、高频管 按功率分: 小功率管<500mW B 中功率管05~1W PNP型 大功率管>1W 回國
P P N E B C 按材料分： 硅管、锗管 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 按功率分： 小功率管 < 500 mW 中功率管 0.5 1 W 大功率管 > 1 W E C B PNP 型 二、类型