University of Electronic Science and Technology of China 1.光波导材料介绍 无机材料 二氧化硅（Silica, Si02） 非常低的光学损耗，热光效应较小，基本没有电光效应， 通常用于无源器件。 热光系数：1×10-5/°C 薄膜制备方法：化学气相沉积(CVD:Chemical Vapor Deposition);物理气相沉积；热氧化法；溶胶凝胶法； 液相沉积法等。 波导传输损耗（7×7μm2,△=0.36%)~0.01dB Splitter,VOA, Switch,AWG 26
University of Electronic Science and Technology of China 26 ❑ 无机材料 1.光波导材料介绍 ① 二氧化硅（Silica，SiO2） • 非常低的光学损耗，热光效应较小，基本没有电光效应， 通常用于无源器件。 • 热光系数：110-5 /C • 薄膜制备方法：化学气相沉积（CVD：Chemical Vapor Deposition)；物理气相沉积；热氧化法；溶胶凝胶法； 液相沉积法等。 • 波导传输损耗（77 m2 , =0.36%）~ 0.01 dB • Splitter， VOA， Switch，AWG
University of Electronic Science and Technology of China 1.光波导材料介绍 无机材料 1.540 Refractivelndex.INFO ① 二氧化硅 1.520 SiOz(Silicon dioxide,Silica,Quartz) 1.500 Fused Silica 1.480 c1.460 二氧化硅的 1.440 色散特性 1.420 1.400 1.380 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 Wavelength,μm 波长 (nm) 折射率 波长 (nm) 折射率 632.8 1.45702 1310 1.44680 980 1.45067 1550 1.44402 27
University of Electronic Science and Technology of China 27 ❑ 无机材料 1.光波导材料介绍 ① 二氧化硅 波长（nm） 折射率 波长（nm） 折射率 632.8 1.45702 1310 1.44680 980 1.45067 1550 1.44402 二氧化硅的 色散特性
University of Electronic Science and Technology of China ×】 956 1.光波导材料介绍 无机材料 ① 二氧化硅 Splitter Chip Splitter晶圆 图片由河南仕佳 光子提供 AWG Wafer AWG Chip 28
University of Electronic Science and Technology of China 28 ❑ 无机材料 1.光波导材料介绍 ① 二氧化硅 Splitter 晶圆 Splitter Chip 图片由河南仕佳 光子提供
University of Electronic Science and Technology of China 956 1.光波导材料介绍 无机材料 ① 二氧化硅 Si Si02波导截面扫 描电镜图 99600 UW28201714:16 4d279m N0L6281-RF3 29
University of Electronic Science and Technology of China 29 ❑ 无机材料 1.光波导材料介绍 ① 二氧化硅 SiO2波导截面扫 描电镜图 Si 芯
University of Electronic Science and Technology of China 1.光波导材料介绍 1956 无机材料 ② 氮氧化硅(Silicon Oxynitride,SiON) 较低的光学损耗，热光效应较小，基本没有电光效应， CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) 工艺兼容。 薄膜制备方法：PECVD或LPCVD 折射率在1.4-2.0之间（取决于N的含量)。 30
University of Electronic Science and Technology of China 30 ❑ 无机材料 1.光波导材料介绍 ② 氮氧化硅（Silicon Oxynitride，SiON） • 较低的光学损耗，热光效应较小，基本没有电光效应， 与CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor） 工艺兼容。 • 薄膜制备方法：PECVD或LPCVD • 折射率在1.4-2.0之间（取决于N的含量）