可编程只读PROM 可编程PROM在封装出厂前，存储单元中 的内容全为“1”（或全为“0”)，用户可根据需 要进行一次性编程处理，将某些单元的内容改为 “0”(或“1”)。图是PROM的一种存储单元， 字 它由三极管和熔丝组成，在存储矩阵的所有存储 单元都是这种结构。出厂前，所有存储单元的熔 线 丝都是通的，存储内容全为“1”。用户在使用前 熔丝 进行一次性编程，例如，若想使某单元的存储内 容为“0”，只需选中该单元后，再在VCc端加上 电脉冲，使熔丝通过足够大的电流，把熔丝烧断 位线 即可。熔丝一旦烧断将无法接上，也就是一旦写 熔丝型PROM 成“0”后就无法再重写成“1”了。因此PROM只 存储单元 能编程一次，使用起来很不方便。可改写ROM (EPROM)则克服了这一缺点
可编程只读PROM 可编程PROM在封装出厂前，存储单元中 的内容全为“1”（或全为“0”），用户可根据需 要进行一次性编程处理，将某些单元的内容改为 “0”（或“1”）。图是PROM的一种存储单元, 它由三极管和熔丝组成,在存储矩阵的所有存储 单元都是这种结构。出厂前，所有存储单元的熔 丝都是通的，存储内容全为“1”。用户在使用前 进行一次性编程，例如，若想使某单元的存储内 容为“0”，只需选中该单元后，再在VCC端加上 电脉冲，使熔丝通过足够大的电流，把熔丝烧断 即可。熔丝一旦烧断将无法接上，也就是一旦写 成“0”后就无法再重写成“1”了。因此PROM只 能编程一次，使用起来很不方便。可改写ROM （EPROM）则克服了这一缺点
★PROM方框图： 与阵列是输入 A-A 地址码 与阵列 变量的全部最 小项。不可编 程。 WWW W 与项相 加，可 D 编程 或阵列 位线 Do ★PROM通用阵列图表示法： 例：用二极管作存储单 将字线和位线画成相互垂直 元的固定ROM 的一个阵列，字线和位线的 A Ao 每一个交叉点对应一个存储 0 单元，在交叉点上画一个 0 点”，表示该单元存“1” 否则表示该单元存“0
★ PROM通用阵列图表示法： 将字线和位线画成相互垂直 的一个阵列，字线和位线的 每一个交叉点对应一个存储 单 元 ， 在交叉点上画一个 “点” ，表示该单元存“1” ， 否则表示该单元存“0” 。 A B A B W0 W1 W2 W3 ★ PROM方框图： 地址码 与阵列 字 线 或阵列 位线 与阵列是输入 变量的全部最 小项。不可编 程。 与项相 加，可 编程 A1 A0 D3 D2 D1 D0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 D0 D1 D2 D3 例：用二极管作存储单 元的固定ROM
cc 分析可编程只读存储器 ☆地址译码器 Wo 4n4o W 4i4o 地址译码器 W2=A Ao W3=AA 地址译码器是一个与门阵 字线 袋 列，每一个字线对应一个最小 项，且是全部最小项。 ☆存储单元 D:=W3+W=A4o+AiAo 存储单元 1 D2 =W3+W2+Wo=A 4o+A Ao+Ai Ao 输出缓冲 D=W3+W2+W=44+4 Ao+Ai4 Do=W2 +Wo=A Ao+Ai Ao 存储单元是一个或门阵列，每一个位线 是将所对应的与项相加，是最小项之和
1 1 输 出 缓 冲 VCC A1 A0 D1 D3 D2 D0 VCC 地 址 译 码 器 EN W0 W1 W2 W3 存 储 单 元 字线 分析可编程只读存储器 ☆ 地址译码器 1 0 W0 = A A 0 1 W1 = A A 0 W2 = A1 A W3 = A1 A0 ☆ 存储单元 0 1 D3 =W3 +W1 = A1 A0 + A A 0 1 0 D2 =W3 +W2 +W0 = A1 A0 + A1 A + A A 0 0 1 D1 =W3 +W2 +W1 = A1 A0 + A1 A + A A 0 1 0 D0 =W2 +W0 = A1 A + A A 地址译码器是一个与门阵 列，每一个字线对应一个最小 项，且是全部最小项。 存储单元是一个或门阵列，每一个位线 是将所对应的与项相加，是最小项之和。 位 线
☆地址译忍哭 储矩阵（位 只有W为 D,=W3+W 有0为0，全1为1。 1其余为字 线为0 D2=W3+W%+W。=AA+AA0+AA6一1 D=W3+W2+W=4 4o+4 40+AAo Do=W2+Wo=A Ao+Ai Ao 0 地址译码器 A Ao 10 有1为1，全0为0 190 11 111 单元 10 0 输出缓冲 字线W和位线D的每个交叉点都是 一个存储单元。交叉点接二极管 时相当于存1，没有接二极管相当 于存0。交叉点的数目就是存储单 存储容量=字数X位数=4X4 元数。交叉点还可以接三极管、MOS管等
1 1 输 出 缓 冲 VCC A1 A0 D1 D3 D2 D0 地 址 译 码 器 存 储 单 元 W0 W1 W2 W3 ☆ 地址译码器（字线）和存 储矩阵（位线）之间的关系。 0 1 0 D0 =W2 +W0 = A1 A + A A 0 0 1 D1 =W3 +W2 +W1 = A1 A0 + A1 A + A A 0 1 0 D2 =W3 +W2 +W0 = A1 A0 + A1 A + A A 0 1 D3 =W3 +W1 = A1 A0 + A A A1 A0 D3 D2 D1 D0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 字线W和位线D的每个交叉点都是 一个存储单元。交叉点接二极管 时相当于存1，没有接二极管相当 于存0。交叉点的数目就是存储单 元数。 存储容量＝字数X位数＝4X4 交叉点还可以接三极管、MOS管等。 只有W0为 1其余为字 0 线为0 1 1 0 有0为0，全1为1。 有1为1，全0为0
可擦除的PROM(EPROM) ①UVEPROM UVEPROM基本存储单元采用浮栅雪崩注入型 MOS管（简称FAMOS管），结构和符号如图所示。 S 浮栅 Si02 D P+ N 若DS间加负高压(-45V),D与衬底间的PN结产生 雪崩击穿，耗尽区的电子从D的P+向外射出，速度快达 浮置栅，形成存储电荷。电压去掉后，能长期保存， 使D-S间形成导电沟道，FAMOS导通
可擦除的PROM(EPROM) ① UVEPROM UVEPROM基本存储单元采用浮栅雪崩注入型 MOS管(简称FAMOS管)，结构和符号如图所示。 若DS间加负高压(-45V)，D与衬底间的PN结产生 雪崩击穿，耗尽区的电子从D的P+向外射出，速度快达 浮置栅，形成存储电荷。电压去掉后，能长期保存， 使D-S间形成导电沟道，FAMOS导通