材料化学总复习
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第二章材料气相制备化学 21简介 主要介绍:化学气相沉积(CVD) 和有机气相聚合。 CVD Chemical Vapor Deposition
第二章 材料气相制备化学 2.1 简介 主要介绍: 化学气相沉积（CVD） 和有机气相聚合。 CVD:Chemical Vapor Deposition
2.2化学气相沉积(CVD)基本原理 CVD Reactor From delivery To system exhaust Metal-containing precursor Film Substrate Schematic representation of an idealized CVD process for an elemental material
2.2 化学气相沉积（CVD）基本原理
化学气相沉积(cVD)定义: (1)具有挥发性的分子态物质(通常含金属)被传输进一个 装置(反应器),这个裝置里放着基片。分子态物质被 吸附到基片上并发生反应沉积一层特殊物质的薄膜【1】。 (2)利用气态物质在固体表面发生化学反应,生成固态沉积 物的过程【2】。 (3)是指直接利用气体或通过各种手段将物质变为气体,让 种或数种气体通过热、光、电、磁和化学等的作用而 发生热分解、还原或气体反应,从气相中析出纳米粒子, 冷却后得到纳米粉体【3】。 (1) Leonard V Interrante Mark J. Hampden Smith Chemistry of advanced materia|s》 【2】杨烈宇等编著,《材料表面薄膜技术》 【3】陈光华,邓金祥编著;《纳米薄膜技术与应用》
化学气相沉积（CVD）定义： （1）具有挥发性的分子态物质（通常含金属）被传输进一 个 装置（反应器），这个装置里放着基片。分子态物质被 吸附到基片上并发生反应沉积一层特殊物质的薄膜【1】。 （2）利用气态物质在固体表面发生化学反应，生成固态沉积 物的过程【2】。 （3）是指直接利用气体或通过各种手段将物质变为气体，让 一种或数种气体通过热、光、电、磁和化学等的作用而 发生热分解、还原或气体反应，从气相中析出纳米粒子， 冷却后得到纳米粉体【3】。 【1】 Leonard V. Interrante, Mark J. Hampden-Smith 《Chemistry of advanced materials》 【2】杨烈宇等编著， 《材料表面薄膜技术》； 【3】陈光华， 邓金祥 编著；《纳米薄膜技术与应用》
233.气相路线(Gas- phase routes) 气相成膜法包括许多物理(PVD)和化学(CVD)方法。 PVD:略 CvD缺点 (1)与其它成膜路线相比,由于要求高的挥发性和适当的 反应性,适合做CVD前驱体的分子态物质的数目较少 (2)沉积薄膜的装置较复杂和昂贵 CvD优点 1)可以在相对较低的基体温度下获得膜层 (2)膜层致密、保形且能以选区方式沉积
2.3.3. 气相路线(Gas-phase routes) 气相成膜法包括许多物理（PVD）和化学 (CVD) 方法。 PVD: 略 CVD缺点： （1）与其它成膜路线相比，由于要求高的挥发性和适当的 反应性，适合做CVD前驱体的分子态物质的数目较少； （2）沉积薄膜的装置较复杂和昂贵； CVD优点： （1）可以在相对较低的基体温度下获得膜层； （2） 膜层致密、保形且能以选区方式沉积