结型场效应管的特性小结 N沟道耗尽 G VGs=OV 结 型型 5v O 场效应 沟 管道 GS=OV 耗尽型一 +5V GS
结型场效应管的特性小结 结 型 场 效 应 管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型
金属-氧化物-半导体场效应管 绝缘栅型场效应管 Metal Oxide semiconductor MOSFET 分为增强型>N沟道、P沟道 耗尽型→>N沟道、P沟道 耗尽型:vs=O时,存在导电沟道,D≠0 增强型 GS O时,没有导电沟道,=0 D D D G oS os S N沟道P沟道N沟道P沟道 增强型 耗尽型
金属-氧化物-半导体场效应管 绝缘栅型场效应管Metal Oxide Semiconductor —— MOSFET 分为 增强型 → N沟道、P沟道 耗尽型 → N沟道、P沟道 增强型： vGS = 0时， 没有导电沟道， i D = 0。 耗尽型： vGS = 0时， 存在导电沟道， i D 0。 N沟道 P沟道 增强型 N沟道 P沟道 耗尽型