漏极特性曲线 可变电阻区:当ⅤDs较低(近似为0),Ⅴs一定 时,这个电阻受Ⅴ控制、可变 Vns/iD≈常数(电阻) ID 可变电阻区 + ID 5V 4V UGS 3V UGs=2V O UDS
漏极特性曲线 可变电阻区：当VDS 较低（近似为0）， VGS 一定 时，这个电阻受VGS 控制、可变。 iV DDS ≈ 常数（电阻） 可变电阻区
、基本开关电路 逻辑非 R>10°9,Ro<1K9 当V=Vn<Ves(th)—>7截止—→Vo=VoB≈VDD 当V=Vm>V(th)——T导通—→Vo=Vo≈0 所以MOS管D-S间相当于一个受V控制的开关。 R vO 输出信号 G S 输入信号
三、基本开关电路 9 10 , 1 ( ) ( ) 0 OFF ON I IL GS O OH DD I IH GS O OL I R RK V V V th T V V V V V V th T V V MOS D S V > Ω <Ω = < ⎯⎯→ ⎯⎯→= ≈ = > ⎯⎯→ ⎯⎯→= ≈ − 当 截 止 当 导 通 所以 管 间相当于一个受 控制的开关。 逻辑非
四、开关等效电路 D G G CI R ON a OFF,截止状态 状牵 ON,导通状
四、开关等效电路 OFF ，截止状态 ON，导通状态
五、MOS管的四种类型 O S g 增强型 d od 绝缘层 N OB P(衬底) B N沟道 P沟道 大量正离子 耗 d 尽型 反型层 B 耗尽层 S S B导电沟道彬尽型N沟道管 耗尽型P沟道管
五、MOS管的四种类型 大量正离子 导电沟道 增强型 耗尽型
M曾树离导炮开肩夹断 符号 翌料瘸嗯正电围 N篮 N | 增强刷 D3s P构 N题 P型 DB8 增强型 N N DH3 感翌 P陶 N增P塑 耗峪醒
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