极管构成的门电路的缺点 高低电平有偏移 带负载能力差 只用于IC内部的逻辑单元
二极管构成的门电路的缺点 • 高低电平有偏移 • 带负载能力差 只用于IC内部的逻辑单元
双极型 (BJT, Bipolar Junction Transistor 如:TTL 单极型 数字集成电路 (Field-Effect-Transistor Metal-Oxide-Semiconductor 如:场效应管(MOS管) 混合型
双极型 （BJT, Bipolar Junction Transistor） 如：TTL 单极型 （ Field-Effect-Transistor ， Metal-Oxide-Semiconductor ） 如：场效应管（ MOS管） 混合型 数字集成电路
33CMOS门电路 331MOS管的开关特性 332CMOS反相器的电路结构和工作原理 3.33CMOS反相器的静态输入和输出特性 334CMOS反相器的动态特性 3.3.5其他类型的CMOS门电路 336CMOS电路的正确使用 337CMOS数字集成电路的各种系列
3.3 CMOS门电路 3.3.1 MOS管的开关特性 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 3.3.3 CMOS 反相器的静态输入和输出特性 3.3.4 CMOS反相器的动态特性 3.3.5 其他类型的CMOS门电路 3.3.6 CMOS电路的正确使用 3.3.7 CMOS数字集成电路的各种系列
33CMOS门电路 331MOS管的开关特性 结构和工作原理〈金属层 S g 氧化物层 绝缘层 ///// N N -OB g P(衬底 OS S N沟道 P沟道 PN结 s( Source):源极G( Gate:栅极 D(Drai:漏极B( Substrate):衬 半导体层
3.3 CMOS门电路 3.3.1 MOS管的开关特性 一、结构和工作原理 S (Source)：源极 G (Gate)：栅极 D (Drain)：漏极 B (Substrate):衬底 金属层 氧化物层 半导体层 PN结
N沟道增强型 LD UGS Sio2 B G P型衬底(B)
N沟道增强型——