2.1半导体二极管 2.1.1半导体基本知识 3.PN结的形成 半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式 载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。半导 体中,如果载流子浓度分布不均匀,因为浓度差,载 流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动,这种 运动称为扩散运动 将一块半导体的一侧掺杂成P型半导体,另一侧掺杂 成N型半导体,在两种半导体的交界面处将形成一个 特殊的薄层:PN结
2.1 半导体二极管 2.1.1 半导体基本知识 3. PN结的形成 半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。 载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。半导 体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载 流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种 运动称为扩散运动。 将一块半导体的一侧掺杂成P型半导体，另一侧掺杂 成N型半导体，在两种半导体的交界面处将形成一个 特殊的薄层： PN结
2.1半导体二极管 2.1.1半导体基本知认 3.PN结的形成 ①多子扩散运动形成空间电荷区 由于浓度差,电子和空穴扩散的结果,在交界面处出现 由数量相等的正负离子组成的空间电荷区(PN结) 并产生由N区指向P区的内电场EN ②内电场EN阻止多子扩散,促使少子漂移 ③扩散与漂移达到动态平衡形成一定宽度的PN结。 向电荷区 N区 P区 N区 99109|9eee99 eQo"A国Leo⑥ e咱e。G由 E
2.1 半导体二极管 2.1.1 半导体基本知识 3. PN结的形成 ① 多子扩散运动形成空间电荷区 由于浓度差，电子和空穴扩散的结果，在交界面处出现 由数量相等的正负离子组成的空间电荷区（PN结）， 并产生由N区指向P区的内电场EIN。 ② 内电场EIN阻止多子扩散，促使少子漂移。 ③扩散与漂移达到动态平衡形成一定宽度的PN结
2.1半导体二极管 2.1.1半导体基本知 4.PN结的单向导电性 ①外加正向电压(正向偏置) 外加电场与内电场方向相反,内电场削弱,扩散运动 大大超过漂移运动,N区电子不断扩散到P区,P区空 穴不断扩散到N区,形成较大的正向电流,这时称PN 结处于“导通”状态 QQe④⑥⊕|R ⊙⑨d p。9 eidsmoe E EECT-
2.1 半导体二极管 2.1.1 半导体基本知识 4. PN结的单向导电性 ①外加正向电压（正向偏置） 外加电场与内电场方向相反，内电场削弱，扩散运动 大大超过漂移运动，N区电子不断扩散到P区，P区空 穴不断扩散到N区，形成较大的正向电流，这时称PN 结处于“导通”状态
2.1半导体二极管 2.1.1半导体基本知 4.PN结的单向导电性 ②外加反向电压(反向偏置) 外加电场与内电场方向相同,内电场增强,多子扩散 难以进行,少子在电场作用下形成反向电流l,因为 是少子漂移运动产生的,l很小,这时称PN结处于 “截止”状态。 E 98oo00 @0 9oloOlooOO E TExT
2.1 半导体二极管 2.1.1 半导体基本知识 4. PN结的单向导电性 ②外加反向电压（反向偏置） 外加电场与内电场方向相同，内电场增强，多子扩散 难以进行，少子在电场作用下形成反向电流 IR，因为 是少子漂移运动产生的， IR很小，这时称PN结处于 “截止”状态