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第二章半导体基本器件
第二章半导体基本器件 2.1半导体二极管 PN结的单向导电原理,二极管的伏安特性 2.2半导体三极管 (1)三极管输出特性中的截止区、放大区和饱和 区等概念。 (2)三极管共发射极电流放大系数的概念 (3)三极管开关电路工作状态的分析方法 2.3M○s场效应管 (1)MOS场效应管的分类及符号 2)增强型NMOS管的特性曲线
第二章半导体基本器件 2.1 半导体二极管 PN结的单向导电原理，二极管的伏安特性 2.2 半导体三极管 ⑴三极管输出特性中的截止区、放大区和饱和 区等概念。 ⑵三极管共发射极电流放大系数的概念 ⑶三极管开关电路工作状态的分析方法 2.3 MOS场效应管 ⑴ MOS场效应管的分类及符号 ⑵ 增强型NMOS管的特性曲线
2.1半导体二极管 2.1.1半导体基本知识 1.半导体的载流子 可运动的带电粒子 电子和空穴 半导体:导电性能介于导体和绝缘 体之间的物质,如硅(S),锗(Ge) 硅和锗的原子结构简化模型 硅和锗都是四价元素,原子的最外 层轨道上有四个价电子
2.1 半导体二极管 2.1.1 半导体基本知识 1.半导体的载流子 ──电子和空穴 半导体：导电性能介于导体和绝缘 体之间的物质，如硅(Si),锗(Ge)。 硅和锗的原子结构简化模型 硅和锗都是四价元素,原子的最外 层轨道上有四个价电子。 可运动的带电粒子
2.1半导体二极管 2.1.1半导体基本知识 1.半导体的载流子一电子和空穴 本征半导体(纯净的半导体晶体) 热激发产生自由电子和空穴 室温下,由于热运动少数价电子挣脱总掉 共价键的束缚成为自由电子,同时在 共价键中留下一个空位这个空位称为 “空穴”。失去价电子的原子成为正产 离子,就好象空穴带正电荷一样
2.1 半导体二极管 2.1.1 半导体基本知识 1.半导体的载流子──电子和空穴 本征半导体（纯净的半导体晶体） 热激发产生自由电子和空穴 室温下，由于热运动少数价电子挣脱 共价键的束缚成为自由电子，同时在 共价键中留下一个空位这个空位称为 “空穴”。失去价电子的原子成为正 离子，就好象空穴带正电荷一样
2.1半导体二极管 2.1.1半导体基本知识 1.半导体的载流子一电子和空穴 空穴运动(与自由电子运动不同) 有了空穴,邻近共价键中的价电子 很容易过来填补这个空穴,这样空 穴便转移到邻近共价键中。新的空数通 穴又会被邻近的价电子填补。带负 电荷的价电子依次填补空穴的运动 从效果上看,相当于带正电荷的空 掉 穴作相反方向的运动
2.1 半导体二极管 2.1.1 半导体基本知识 1.半导体的载流子──电子和空穴 空穴运动（与自由电子运动不同） 有了空穴，邻近共价键中的价电子 很容易过来填补这个空穴，这样空 穴便转移到邻近共价键中。新的空 穴又会被邻近的价电子填补。带负 电荷的价电子依次填补空穴的运动， 从效果上看，相当于带正电荷的空 穴作相反方向的运动