(二)杂质半导体 杂质半导体:在本征半导体中人为掺入某种“杂质 元素形成的半导体。分为N型半导体和P型半导体 N型半导体: 在本征Si和Ge中掺入微量V族元素后形成的杂质半导 体称为N型半导体。 所掺入V族元素称为施主 杂质,简称施主 (能供给自由电子) 右图(2-1) 能1
（二）杂质半导体 杂质半导体：在本征半导体中人为掺入某种“杂质” 元素形成的半导体。分为N型半导体和P 型半导体。 一 N型半导体： 在本征Si和Ge中掺入微量V族元素后形成的杂质半导 体称为N型半导体。 所掺入V族元素称为施主 杂质，简称施主 （能供给自由电子）。 右图（2-1）
P型半导体: 在本征S和Ge中掺入微量Ⅲ族元素后形成的 杂质半导体称为N型半导体。所掺入Ⅲ族元素称为 受主杂质,简称受主(能供给自由电子)。下图所 示(图2-2) P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子
二 P型半导体： 在本征Si和Ge中掺入微量Ⅲ族元素后形成的 杂质半导体称为N型半导体。所掺入Ⅲ族元素称为 受主杂质，简称受主（能供给自由电子）。下图所 示（图2-2） P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子
杂质半导体的载流子浓度 少量掺杂,平衡状态下:n2=n0po 其中,n为本征浓度,n为自由电子浓度,p为空穴 浓度 图2-3杂质半导体的电荷模型,图中少子未画出来。 温度增加,本征激发加剧,但本征激发产生的多子远 小杂 质电离产生的多子。 ★半导体工作机理:杂质是电特性。 ★S半导体比Ge半导体有更高的温度。因为同温度时, Si 半导体比Ge半导体本征激发弱,更高的温度时Si半 导体 才会失去杂质导电特性
三 杂质半导体的载流子浓度： 少量掺杂，平衡状态下：ni 2 =n0·p0 其中，ni 为本征浓度，n0 为自由电子浓度，p0 为空穴 浓度 图2-3 杂质半导体的电荷模型，图中少子未画出来。 温度增加，本征激发加剧， 但本征激发产生的多子远 小杂 质电离产生的多子。 ★半导体工作机理：杂质是电特性。 ★Si半导体比Ge半导体有更高的温度。因为同温度时， Si 半导体比Ge半导体本征激发弱，更高的温度时Si半 导体 才会失去杂质导电特性
§2-2PN结的形成及特性 ★PN结:将P型和N型半导体采用特殊工艺制造成半导体 半导体内有一物理界面,界面附近形成一个极薄的特 殊区域,称为PN结。 PN结的形成: V内建电场:由N区指向P区的电场E。阻止两区多子的散 电场E产生的两区少子越结漂移电流将部分抵消因浓 度差产生的使两 区多子越结的扩散电流。 扩散进一步进行,空间电荷区内的暴露离子数增多, 电场E增强,漂 移电流增大,当扩散电流=漂移电流时,达到平衡状态, 形成PN结。无净电流流过PN结
§2-2 PN结的形成及特性 ★PN结：将P型和N型半导体采用特殊工艺制造成半导体 半导体内有一物理界面，界面附近形成一个极薄的特 殊区域，称为PN结。 一 PN结的形成： ▼内建电场：由N区指向P区的电场E。阻止两区多子的散。 电场E产生的两区少子越结漂移电流将部分抵消因浓 度差产生的使两 区多子越结的扩散电流。 扩散进一步进行，空间电荷区内的暴露离子数增多， 电场E增强，漂 移电流增大，当扩散电流=漂移电流时，达到平衡状态， 形成PN结。无净电流流过PN结
PN结的形成
PN结的形成