PN结的单向导电性 耗尽层 耗尽层 P区 N区 P区 N区 oooojoJoO0.OO oBoojooio@oo O|Oo⊙e|@ ○○i○○○i④d 内电场 内电场 外电场 外电场 U R PN结加正向电压导通: 必要吗? 向电压截止: 耗尽层变窄,扩散运动加耗尽层变宽,阻止扩散运动, 剧,由于外电源的作用,形有利于漂移运动,形成漂移电 成扩散电流,ⅣN结处于导通流。由于电流很小,故可近似 状态。 认为其截止。 华成英nchar@tsinghua.edu.cn
华成英 hchya@tsinghua.edu.cn PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加 剧，由于外电源的作用，形 成扩散电流，PN结处于导通 状态。 PN结加反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运动， 有利于漂移运动，形成漂移电 流。由于电流很小，故可近似 认为其截止。 PN 结的单向导电性 必要吗？
羊大学 四、PN结的电容效应 势垒电容 PN结外加电压变化时,空间电荷区的宽度将发生变 化,有电荷的积累和释放的过程,与电容的充放电相 同,其等效电容称为势垒电容Cb 2.扩散电容 PN结外加的正向电压变化时,在扩散路程中载流子 的浓度及其梯度均有变化,也有电荷的积累和释放的 过程,其等效电容称为扩散电容C 结电容:G1=Cb+Cd 结电容不是常量!若PN结外加电压频率高到一定程 度,则失去单向导电性! 清华大学华成英 hchya@tsinghua.edu.cn 华成英nchar@tsinghua.edu.cn
华成英 hchya@tsinghua.edu.cn 清华大学 华成英 hchya@tsinghua.edu.cn 四、PN 结的电容效应 1. 势垒电容 PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变 化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相 同，其等效电容称为势垒电容Cb。 2. 扩散电容 PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子 的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的 过程，其等效电容称为扩散电容Cd。 结电容： Cj = Cb +Cd 结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程 度，则失去单向导电性！
问题 为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制 成本征半导体,导电性能极差,又将其掺杂, 改善导电性能? ·为什么半导体器件的温度稳定性差?是多子还 是少子是影响温度稳定性的主要因素? 为什么半导体器件有最高工作频率? 华成英nchar@tsinghua.edu.cn
华成英 hchya@tsinghua.edu.cn 问题 • 为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制 成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂， 改善导电性能？ • 为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还 是少子是影响温度稳定性的主要因素？ • 为什么半导体器件有最高工作频率？