当P型半导体与N型半导体紧密地结合在一起时，由于在交界面两侧，空穴与自由电子都存在着很大的浓度差。因此，两者都必将产生扩散运动，P区的多子空穴向N区扩散，并且与N区的自由电子复合；N区的多子自由电子向P区扩散，并且与P区的空穴复合，如图6-3（a）所示
当P型半导体与N型半导体紧密地结合在一起时，由于在交 界面两侧，空穴与自由电子都存在着很大的浓度差。因此，两 者都必将产生扩散运动，P区的多子空穴向N区扩散，并且与N 区的自由电子复合；N区的多子自由电子向P区扩散，并且与P 区的空穴复合，如图6-3（a）所示
空间电荷区NNP++自建电场图6-3（a）多子的扩散运动图6-3（b）PN结示意图
图6-3（a）多子的扩散运动 图6-3（b） PN结示意图
这样在P区一侧就因失去空穴而留下不能移动的负离子，而在N区一侧就因失去自由电子而留下不能移动的正离子，这些离子被固定排列在晶格单，不能移动，所以它们并不参与导电这样，在交界面两侧就形成一个空间电荷区，并产生内建电场或势垒电场，其方向是由N区指向P区，如图6-3（b）。内建电场的产生阻碍了多子的扩散运动，而多子的扩散又逐渐增强内建电场。所以多子的运动会逐步减弱，直至停止，使交界面形成一个稳定的特殊的薄层，即PN结
这样在P区一侧就因失去空穴而留下不能移动的负离子，而 在N区一侧就因失去自由电子而留下不能移动的正离子，这些 离子被固定排列在晶格里，不能移动，所以它们并不参与导电， 这样，在交界面两侧就形成一个空间电荷区，并产生内建电场 或势垒电场，其方向是由N区指向P区，如图6-3（b）。内建电 场的产生阻碍了多子的扩散运动，而多子的扩散又逐渐增强内 建电场。所以多子的运动会逐步减弱，直至停止，使交界面形 成一个稳定的特殊的薄层，即PN结
2.PN结的单向导电性在PN结的两端外加电压，称为PN结偏置电压。PN结的偏置方式不同，变现出的特性也就不同。（1）PN结的正向偏置给PN结加正向偏置电压，即P区接电源正极，N区接电源负极，此时称PN结为正向偏置，简称正偏，如图6-4（a）所示PN结正偏时，由于外加电源产生的外加电场方向与内建电场方向相反，使内建电场的一部份被抵消，空间电荷区变窄，对多子扩散的阻碍作用减弱。因此，PN结两边的多子，在浓度差的作用下作扩散运动，穿过空间电荷区形成正向电流IF，此时PN结出与正向导通状态
2.PN结的单向导电性 给PN结加正向偏置电压，即P区接电源正极，N区接电源 负极，此时称PN结为正向偏置，简称正偏，如图6-4（a）所示。 PN结正偏时，由于外加电源产生的外加电场方向与内建电场方 向相反，使内建电场的一部份被抵消，空间电荷区变窄，对多 子扩散的阻碍作用减弱。因此，PN结两边的多子，在浓度差的 作用下作扩散运动，穿过空间电荷区形成正向电流IF，此时PN 结出与正向导通状态。 （1）PN结的正向偏置。 在PN结的两端外加电压，称为PN结偏置电压。PN结的偏 置方式不同，变现出的特性也就不同
田田田DOOP区N区外电场内电场tOR图6-4(a)PN结正向偏置
图6-4(a) PN结正向偏置 + − U R 外电场 内电场 P 区 N 区 I + − U R 外电场 内电场 P 区 N 区 I