第五章霍尔式传感器 2、霍尔灵敏度KH H IB 则:L Rd?d KuB H KH反比于元件的厚度d,降低厚度可提高灵敏度,但: (1)元件的强度。太薄,易受损。 (2)元件的阻抗。太薄时阻抗大,元件的功率消耗大, 会引起温度升高。 K可表示在单位电流,单位电场作用下,开路的霍尔 电势的输出值
第五章 霍尔式传感器 2、霍尔灵敏度KH d n e d R K H H = = 1 令： K IB d R IB U H H H = = KH反比于元件的厚度d，降低厚度可提高灵敏度，但： （1）元件的强度。太薄，易受损。 （2）元件的阻抗。太薄时阻抗大，元件的功率消耗大， 会引起温度升高。 KH可表示在单位电流，单位电场作用下，开路的霍尔 电势的输出值。 则：
第五章霍尔式传感器 四、霍尔元件 1、翟尔元件的材料及其结构 (1)霍尔元件的材料 半导体:锗、硅、砷化铟和锑化铟等 半导体具有较高的载流子移率和电阻率,能 昵显的电势。 金属迁移率很高,但电率很低 绝缘体具有较高的电的率,但迁移率很少 课本P117:表9-1半导体材料在300K的参数
第五章 霍尔式传感器 四、霍尔元件 1、霍尔元件的材料及其结构 （1）霍尔元件的材料 半导体：锗、硅、砷化铟和锑化铟等 半导体具有较高的载流子的迁移率和电阻率，能 获得明显的霍尔电势。 金属迁移率很高，但电阻率很低。 绝缘体具有较高的电阻率，但迁移率很小。 课本P117：表9-1 半导体材料在300K的参数