322晶体管的高频参数 (1)截止频率fB: 共发电路的电流放大系数β值下降至低频值B0的立时 的频率称为β截止频率,用f表示 (2)特征频率fr:指B=1时的频率 特征频率∫r是晶体管在共发射极运用时能得到电流增益 的最高频率极限(电流放大系数β=1,但功率增益>1) 特征频率∫r是高于截止频率fB,约等于fB的B。倍。 特征频率f与阻容乘积(Cbe+Cb)成反比,后者又决 定于晶体管的静态工作点,因此,f也是静态工作点的 函数 g 当f>时,存在近似关系=2xb 特征频率f7是可查手册的,也可由仪器测量得到。 2001年9月-12月 《通信电路原理》-无九
2001年9月--12月 《通信电路原理》--无九 6 3.2.2 晶体管的高频参数 （1）截止频率 f ： § 共发电路的电流放大系数 值下降至低频值 的 时 的频率称为 截止频率，用 表示。 0 2 1 f （2）特征频率 f T ： § 特征频率 是晶体管在共发射极运用时能得到电流增益 的最高频率极限（电流放大系数 ，但功率增益>1 ）。 T f § 特征频率 f T 是高于截止频率 f , 约等于 f 的 0 倍。 § 特征频率 与阻容乘积 成反比，后者又决 定于晶体管的静态工作点，因此， 也是静态工作点的 函数。 T f ( ) e Cb'e Cb'c r T f b e m T C g f 2 ' § 当 f f 时，存在近似关系 。 f fT § 特征频率 f T 是可查手册的，也可由仪器测量得到。 指 时的频率。 1 1
322晶体管的高频参数(续) (3)最高振荡频率 max 晶体管的功率增益Gn=1时的工作频率称为最高振 荡频率∫m m最高,fn次之,f最低。 max 2T V4r, bbe b'c (4)截止频率f,B和fn的关系:a 晶体管的共基极电流放大系数是c:其 1+J 中a。是低频时共基极短路电流放大系数, f是下降到an/√2时的频率。可推出:fn=a0f 因为ao<1,由上可得出三个频率参数JB、f和 的近似关系:f>f>f B 2001年9月-12月 《通信电路原理》-无九
2001年9月--12月 《通信电路原理》--无九 7 3.2.2 晶体管的高频参数（ （3）最高振荡频率 fmax ： § 晶体管的功率增益 时的工作频率称为最高振 荡频率 fmax 。 b b b e b c m r C C g f ' ' ' max 2 4 1 max f T f f （4） 截止频率 f ，f 和 fT 的关系： § 晶体管的共基极电流放大系数是 ：其 中 是低频时共基极短路电流放大系数， 是 下降到 时的频率。可推出： f f j 1 0 0 f / 2 0 f f T 0 f f T f f f f T § 因为 ，由上可得出三个频率参数 、 和 的近似关系： 最高， 次之， 最低。 GP 1 1 0
33高频小信号宽带放大器 331双极型晶体管共发射放大电路的高频特性 C R raR。R, 只 R BB e R1=RRn∥ 根据密勒定理,可将b7b b 跨接电容C用并接在 输入和输出端的两个 R 电容C1和C2代替。 be 返回 bel 2001年9月-12月 《通信电路原理》-无九
2001年9月--12月 《通信电路原理》--无九 8 3.3.1 双极型晶体管共发射放大电路的高频特性 ' bb r b e r ' b e C ' b c C ' ce r Vo Vs b e V ' b ' b e c m b e g V ' Rs Rc RL ' bb r b e r ' b e C ' Vo Vs b e V ' b ' b e c m b e g V ' Rs ' RL C1 C2 b c C ' C1 C2 Vs s R B R C1 C R VCC VBB RL L L C ce R R // R // r ' § 根据密勒定理，可将 跨接电容 用并接在 输入和输出端的两个 电容 和 代替。 返回
331双极型晶体管共发射放大电路的高频特性(续1) 通常gnR1>>1,上图为 C1≈gmR R be 由于C2xC很小,其容抗v○ R b 等效输入电容为: C=C1+C,≈C,(1 b'e bcg R b'e 应用式f1≈8m一,得到: Cbe(1+o,R Cbc=dC b'e D=(+agriC 式中D称为密勒效应D因子。 可求得共发放大器源电压增益Oh= CR DC,R 的高频边界角频率为: 2001年9月-12月 《通信电路原理》-无九
2001年9月--12月 《通信电路原理》--无九 9 3.3.1 双极型晶体管共发射放大电路的高频特性（ ） ' m RL g m L b c C g R C ' ' 1 b c C2 C ' § 通 常 >>1，上图为： § 由于 很小，其容抗 与 相比较，可忽略不计。 b c C2 C ' ' RL (1 ) ' ' ' 1 ' ' m L b e b c in b e b e g R C C C C C C § 等效输入电容为： § 应用式 ，得到： b e m T C g f 2 ' Cin Cb e T RLCb'c DCb'e ' ' (1 ) 式中D称为密勒效应D因子。 (1 ' ) ' T L b c D R C § 可求得共发放大器源电压增益 的高频边界角频率为： ' ' ' 1 1 in S b e S h C R DC R Vo c m b e g V ' ' RL ' b Cin ' R s ' V s
331双极型晶体管共发射放大电路的高频特性(续2) 共发放大器的增益带宽积GBP: GBP=A,@n R GBP≈R Ci(Rs+rb b D×1b 由上式可以得出如下结论: D=(1+O7R2C) (1).为获得较大的GBP和高频边界角频率On值、应选用Cb 小、b小而f高的晶体管 (2).增大R,,可以增大中频源电压增益A。,但由于D因子 增大,On将减小,因而R的选择应兼顾A0和O的要求。 (3).管子选完后,为提高O1值,信号源内阻R。应尽可能 小,即放大器的输入信号尽量接近恒压源。 例:CAD3-1 返回 2001年9月-12月 《通信电路原理》-无九
2001年9月--12月 《通信电路原理》--无九 10 3.3.1 双极型晶体管共发射放大电路的高频特性（ ） § 共发放大器的增益带宽积GBP： ( ) ' ' 0 in S b b m L h C R r g R GBP A S b b T L R r R D GBP ' ' 由上式可以得出如下结论： （1）. 为获得较大的GBP和高频边界角频率 值，应选用 小、 小而 高的晶体管。 （2）. 增大 ，可以增大中频源电压增益 ，但由于D因子 增大， 将减小，因而 的选择应兼顾 和 的要求。 （3）. 管子选完后，为提高 值，信号源内阻 应尽可能 小，即放大器的输入信号尽量接近恒压源。 (1 ' ) ' T L b c D R C h b c C ' ' bb r T f ' RL A0 h ' RL A0 h h R s 例：CAD3-1 返回