笫6章调制与解调 6.1幅度调制 6.2角度调制 62.1角调调制的基本概念 622频率调制信号的性质 62.3实现频率调制的方法与电路 6.2.3.1实现方法:即直接调频和间接调频。 6232调频电路的技术指标 6.2.3.3变容二极管直接调频电路 6.2.3.4其他直接调频电路 624调频波的解调方法与电路 625数字信号的相位调制 2001年9月-12月 《通信电路原理》-无九
2001年9月--12月 《通信电路原理》--无九 1 笫6章 调制与解调 6.1 幅度调制 6.2 角度调制 6.2.1 角调调制的基本概念 6.2.2 频率调制信号的性质 6.2.3 实现频率调制的方法与电路 6.2.3.1 实现方法：即直接调频和间接调频。 6.2.3.2 调频电路的技术指标 6.2.3.3 变容二极管直接调频电路 6.2.3.4 其他直接调频电路 6.2.4 调频波的解调方法与电路 6.2.5 数字信号的相位调制
623实现频率调制的方法与电路 6.2.3.1实现方法:即直接调频和间接调频。 1、直接调频 直接调频就是直接使振荡器的频率随调制信号成线性关系 变化。例如,在一个由LC回路决定振荡频率的振荡器中,将 个可变电抗元件接入回路,使可变电抗元件的电抗值随调 制电压而变化。即可使振荡器的振荡频率随调制信号而变化。 如:变容二极管直接调频电路。 优点:易于得到比较大的频偏 缺点:中心频率的稳定度不易做得很高。 2001年9月-12月 《通信电路原理》-无九
2001年9月--12月 《通信电路原理》--无九 2 6.2.3 实现频率调制的方法与电路 6.2.3.1 实现方法：即直接调频和间接调频。 1、直接调频 ▪ 直接调频就是直接使振荡器的频率随调制信号成线性关系 变化。例如，在一个由LC回路决定振荡频率的振荡器中，将 一个可变电抗元件接入回路，使可变电抗元件的电抗值随调 制电压而变化。即可使振荡器的振荡频率随调制信号而变化。 如：变容二极管直接调频电路。 ▪ 优点：易于得到比较大的频偏。 ▪ 缺点：中心频率的稳定度不易做得很高
6.2.3.1实现方法:即直接调频和间接调频。(续) 间接调频 返回 利用调频波与调相波之间的关系 n(O0=odg+∫m(x+9 VpM(t)=Vcm cos[act+k,vn(t)+81 先将调制信号进行积分处理,再进行调相而得到调频波, 其方框如下图所示。 优点:载波中心频率稳定度较好。 载波 FM 振荡器 缓冲级 调相器 晶体 振荡器 积分器 v(↑
2001年9月--12月 《通信电路原理》--无九 3 6.2.3.1 实现方法：即直接调频和间接调频。 （续） ▪ 先将调制信号进行积分处理，再进行调相而得到调频波， 其方框如下图所示。 ▪ 优点：载波中心频率稳定度较好。 2、间接调频 ▪ 利用调频波与调相波之间的关系： ( ) cos[ ( ) ] 0 0 = + + v t V t K v d f t FM cm c F ( ) cos[ ( ) ] = + 1 + 0 v t V t K v t PM cm c p f 返回
62.32调频电路的技术指标 1、调制特性 被调振荡器的频率偏移与调制电压 g(v,) 的关系称为调制特性,并表示为: fe 在一定电压范围内,调制特性应近似为直线特性 2、调制灵敏度 △f 调制电压变化单位数值所产生的 F 频率偏移称为调制灵敏度 △ 3、最大频偏An 在调制电压作用下,所能达到的最大频率偏移。 4、中心频率稳定度 调频信号的瞬时频率是以稳定的中心频率(载波频率)为 基准变化的。如果中心频率不稳定,就有可能使调频信号的 频谱落到接收机通带范围之外,以致不能保证正常通信。 因此,对于调频电路,不仅要满足频偏的要求,而且要使 中心频率保持足够高的稳定度 2001年9月-12月 《通信电路原理》-无九
2001年9月--12月 《通信电路原理》--无九 4 6.2.3.2 调频电路的技术指标 1、调制特性 ▪ 被调振荡器的频率偏移与调制电压 的关系称为调制特性，并表示为： ( ) f c g v f f = ▪ 在一定电压范围内，调制特性应近似为直线特性。 2、调制灵敏度 ▪ 调制电压变化单位数值所产生的 频率偏移称为调制灵敏度。 f F v f S = 3、最大频偏 ▪ 在调制电压作用下，所能达到的最大频率偏移。 m f 4、中心频率稳定度 ▪ 调频信号的瞬时频率是以稳定的中心频率（载波频率）为 基准变化的。如果中心频率不稳定，就有可能使调频信号的 频谱落到接收机通带范围之外，以致不能保证正常通信。 因此，对于调频电路，不仅要满足频偏的要求，而且要使 中心频率保持足够高的稳定度
6.2.3.3变容二极管直接调频电路 1)变容二极管的特性 变容管是利用PN结来实现的。PN结的 电容包括势垒电容和扩散电容两部分 O 变容管利用的是势垒电容, 所以PN结是反向偏置的。 =0时变容管的等效电容为Co。 变容指数为y,它是一个取决于 PN结的结构和杂质分布情况的系数 缓变结变容管,其y=1/3 突变结变容管,其y=1/2 超突变结变容管,其y=2 接触电位差为,硅管约为07V, 锗管约为0.2V。 2001年9月-12月 《通信电路原理》-无九
2001年9月--12月 《通信电路原理》--无九 5 6.2.3.3 变容二极管直接调频电路 （1）变容二极管的特性 ▪ 变容管是利用PN结来实现的。 PN结的 电容包括势垒电容和扩散电容两部分。 (1 ) 0 V C C + = ▪ 变容管利用的是势垒电容， 所以PN结是反向偏置的。 0 V C ▪ V = 0时变容管的等效电容为 C0 。 ▪ 变容指数为 ，它是一个取决于 PN结的结构和杂质分布情况的系数。 缓变结变容管， 其 = 1/3； 突变结变容管， 其 = 1/2 ； 超突变结变容管，其 = 2。 ▪ 接触电位差为 ，硅管约为0.7V， 锗管约为0.2V。