锗比硅容易提纯,所以最初发明的半导体 极管是锗制成的。但是,锗的禁带宽度 067eV)只有硅的禁带宽度(1.11eV) 的大约一半,所以硅的电阻率比锗大,而 且在较宽的禁带中能够更加有效地设置杂 质能级,所以后来硅半导体逐渐取代了锗 半导体。硅取代锗的另一个主要原因是在 硅的表面能够形成一层极薄的so2绝缘膜, 从而能够制备MoS型三极管
锗比硅容易提纯，所以最初发明的半导体 三极管是锗制成的。但是，锗的禁带宽度 （0.67eV）只有硅的禁带宽度（1.11eV） 的大约一半，所以硅的电阻率比锗大，而 且在较宽的禁带中能够更加有效地设置杂 质能级，所以后来硅半导体逐渐取代了锗 半导体。硅取代锗的另一个主要原因是在 硅的表面能够形成一层极薄的SiO2绝缘膜， 从而能够制备MOS型三极管
除了硅和锗以外,还出现了像砷化镓 (GaAs)这样由Ⅲ族元素和V族元素组成 的化合物半导体。在化合物半导体中,载 流子的移动速率远远大于硅和锗,所以能 够制备更加高速的大规模集成电路
除了硅和锗以外，还出现了像砷化镓 （GaAs）这样由Ⅲ族元素和Ⅴ族元素组成 的化合物半导体。在化合物半导体中，载 流子的移动速率远远大于硅和锗，所以能 够制备更加高速的大规模集成电路