只读存储器(ROM) 掩模ROM ■只读存储器 次性可写ROM EPROM EEPROM
11 只读存储器（ROM） 只读存储器 掩模ROM 一次性可写ROM EPROM EEPROM
存储器的主要技术指标 ■存储容量:存储单元个数M×每单元位数N ■存取时间:从启动读(写)操作到操作完成的时间 存取周期:两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间 ■平均故障间隔时间MTBF(可靠性) ■功耗:动态功耗、静态功耗
12 存储器的主要技术指标 存储容量：存储单元个数M×每单元位数N 存取时间：从启动读(写)操作到操作完成的时间 存取周期：两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间 平均故障间隔时间MTBF（可靠性） 功耗：动态功耗、静态功耗
52随机存取存储器 要求掌握: ■SRAM与DRAM的主要特点 ■几种常用存储器芯片及其与系统的连接 ■存储器扩展技术
13 5.2 随机存取存储器 要求掌握： SRAM与DRAM的主要特点 几种常用存储器芯片及其与系统的连接 存储器扩展技术
静态存储器SRAM 特点: ■用双稳态触发器存储信息。 ■速度快(<5ns),不需刷新,外围电路比较简单, 但集成度低(存储容量小,约1Mb片),功耗大 ■在PC机中,SRAM被广泛地用作高速缓冲存储器 Cache。 ■对容量为MN的SRAM芯片,其地址线数=log2M; 数据线数=N。反之,若SRAM芯片的地址线数为K, 则可以推断其单元数为2K个
14 一、静态存储器SRAM 特点： 用双稳态触发器存储信息。 速度快（<5ns），不需刷新，外围电路比较简单， 但集成度低（存储容量小，约1Mbit/片），功耗大。 在PC机中，SRAM被广泛地用作高速缓冲存储器 Cache。 对容量为M*N的SRAM芯片，其地址线数=㏒2M； 数据线数=N。反之，若SRAM芯片的地址线数为K， 则可以推断其单元数为2 K个
典型SRAM芯片 CMOS RAM芯片6264(8K*8): 主要引脚功能 工作时序 ■与系统的连接使用
15 典型SRAM芯片 CMOS RAM芯片6264（8K*8）： 主要引脚功能 工作时序 与系统的连接使用