二、PN结反向偏置 变厚 0 内电场被被加强，多子 的扩散受抑制。少子漂 移加强，但少子数量有 限，只能形成较小的反 向电流。 P ④i 内电场 R E
二、PN 结反向偏置 － － － － + + + + 内电场 外电场 变厚 P N + _ 内电场被被加强，多子 的扩散受抑制。少子漂 移加强，但少子数量有 限，只能形成较小的反 向电流。 R E
自 半导体二极管 一、基本结构 PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 点接触型 触丝线 PN结 引线 外壳线 基片 面接触型 二极管的电路符号： N
㈢ 半导体二极管 一、基本结构 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 引线 外壳线 触丝线 基片 点接触型 PN结 面接触型 P N 二极管的电路符号：
二、伏安特性 导通压降： 硅管0.60.7V, 死区电压硅管 锗管0.2-0.3V。 0.6V,锗管0.2V。 U 反向击穿 电压UBR
二、伏安特性 U I 死区电压 硅管 0.6V,锗管0.2V。 导通压降: 硅管0.6~0.7V, 锗管0.2~0.3V。 反向击穿 电压UBR
三、主要参数 1.最大整流电流IoM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大 正向平均电流。 2.反向击穿电压UBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电 流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至 过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电 压UwRM一般是UBR的一半
三、主要参数 1. 最大整流电流IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大 正向平均电流。 2. 反向击穿电压UBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电 流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至 过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电 压UWRM一般是UBR的一半
3.反向电流IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电 流。反向电流大，说明管子的单向导电性 差，因此反向电流越小越好。反向电流受 温度的影响，温度越高反向电流越大。硅 管的反向电流较小，锗管的反向电流要比 硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是 主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、 保护等等。下面介绍两个交流参数
3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电 流。反向电流大，说明管子的单向导电性 差，因此反向电流越小越好。反向电流受 温度的影响，温度越高反向电流越大。硅 管的反向电流较小，锗管的反向电流要比 硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是 主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、 保护等等。下面介绍两个交流参数