模拟电子技术 反向击穿类型: 电击穿一PN结未损坏,断电即恢复。 热击穿一PN结烧毁 反向击穿原因: 齐纳击穿:反向电场太强,将电子强行拉出共价键。 ( Zener)(击穿电压<6V,负温度系数) 雪崩击穿:反向电场使电子加速,动能增大,撞击 使自由电子数突增。 (击穿电压>6V,正温度系数) 击穿电压在6V左右时,温度系数趋近零
模 拟 电 子 技 术 反向击穿类型： 电击穿 热击穿 反向击穿原因： 齐纳击穿： (Zener) 反向电场太强，将电子强行拉出共价键。 (击穿电压 < 6 V，负温度系数) 雪崩击穿：反向电场使电子加速，动能增大，撞击 使自由电子数突增。 — PN 结未损坏，断电即恢复。 — PN 结烧毁。 (击穿电压 > 6 V，正温度系数) 击穿电压在 6 V 左右时，温度系数趋近零
模拟电子技术 ip/mA iD/mA 60 15 40 20 50-25 50-25 00.40.8 0.0 0.20.4un/v -0.02 0.02 0.04 硅管的伏安特性 锗管的伏安特性
模 拟 电 子 技 术 硅管的伏安特性 锗管的伏安特性 60 40 20 – 0.02 – 0.04 0 0.4 0.8 –50 –25 iD / mA uD / V iD / mA 0.2 0.4 uD / V – 50 – 25 5 10 15 –0.01 –0.02 0
模拟电子技术 温度对二极管特性的影响 in/mA 90°C 60 20°C 40 20 50 00.4 un/v 0.02 T升高时, UD(on以(2~25)mV/°C下降
模 拟 电 子 技 术 温度对二极管特性的影响 60 40 20 – 0.02 0 0.4 –50 –25 iD / mA uD / V 20C 90C T 升高时， UD(on)以 (2 2.5) mV/ C 下降
模拟电子技术 123二极管的主要参数 U(BR) 1.IF一最大整流电流(最大正向平均电流) 2URM-最高反向工作电压,为UBR/2 3.Ⅰ反向电流(越小单向导电性越好) 4.fM1—最高工作频率(超过时单向导电性变差)
模 拟 电 子 技 术 1.2.3 二极管的主要参数 1. IF — 最大整流电流(最大正向平均电流) 2. URM — 最高反向工作电压，为 U(BR) / 2 3. IR — 反向电流(越小单向导电性越好) 4. fM — 最高工作频率(超过时单向导电性变差) iD uD U (BR) I F URM O
模拟电子技术 影响工作频率的原因一PN结的电容效应 结论: 1.低频时,因结电容很小,对PN结影响很小。 高频时,因容抗增大,使结电容分流,导致单向 导电性变差。 2.结面积小时结电容小,工作频率高
模 拟 电 子 技 术 影响工作频率的原因 — PN 结的电容效应 结论： 1. 低频时，因结电容很小，对 PN 结影响很小。 高频时，因容抗增大，使结电容分流，导致单向 导电性变差。 2. 结面积小时结电容小，工作频率高