模拟电子技术 1.3二极管电路的 分析方法 1.3.1理想二极管及二极管 特性的折线近似 1.32图解法和微变等效电路法
模 拟 电 子 技 术 1.3 二极管电路的 分析方法 1.3.1 理想二极管及二极管 特性的折线近似 1.3.2 图解法和微变等效电路法
模拟电子技术 3.1理想二极管及二极管特性的折线近似 理想二极管 特性 符号及「7 等效模型 S 正偏导通 D 0;反偏截止 0 U (BR)
模 拟 电 子 技 术 1.3.1 理想二极管及二极管特性的折线近似 一、理想二极管 特性 uD iD 符号及 等效模型 S S 正偏导通，uD = 0；反偏截止， iD = 0 U(BR) =
模拟电子技术 二、二极管的恒压降模型 D(on) 0.7V(Si D D(on) 0.2v(Ge) D(on
模 拟 电 子 技 术 二、二极管的恒压降模型 uD iD UD(on) uD = UD(on) 0.7 V (Si) 0.2 V (Ge)
模拟电子技术 二极管的折线近似模型 斜率1/r D △U D(on) DI 计口中 D(on)
模 拟 电 子 技 术 三、二极管的折线近似模型 uD iD UD(on) U I I U r D = 斜率1/ rD rD1 UD(on)
模拟电子技术 例1.3.1硅二极管,R=2k2,分别用二极管 理想模型和恒压降模型求出VD=2V和VD =10V时和Uo的值。 DD DD rlu 4 D(on) DD
模 拟 电 子 技 术 UD(on) 例 1.3.1 硅二极管，R = 2 k，分别用二极管 理想模型和恒压降模型求出 VDD = 2 V 和 VDD = 10 V 时 IO和 UO的值