模拟电子技术 121半导体二极管的结构和类型 构成:PN结+引线+管壳=二极管( Diode) 符号:A( anode) C(cathode 硅二极管 按材料分 锗二极管 分类: 点接触型 按结构分{面接触型 平面型
模 拟 电 子 技 术 1.2.1 半导体二极管的结构和类型 构成： PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode) 符号：A (anode) C (cathode) 分类： 按材料分 硅二极管 锗二极管 按结构分 点接触型 面接触型 平面型
模拟电子技术 正极N型锗片负极 铝合金正极引线 小球 引线 引线 PN结 N型锗金锑 合金 外壳 触丝 负极引线一 点接触型 底座 正极负极 面接触型 引线引线 P型支持衬底 集成电路中平面型
模 拟 电 子 技 术 点接触型 正极 引线 触丝 N 型锗片 外壳 负极 引线 负极引线 面接触型 N型锗 PN 结 铝合金 正极引线 小球 底座 金锑 合金 正极 引线 负极 引线 集成电路中平面型 P N P 型支持衬底
模拟电子技术 整 整流 整流二极管 型号 型号 主要 型号:2CP4 主要 30 3 符号 符号: 符号
模 拟 电 子 技 术
模拟电子技术 1.2.,2二极管的伏安特性 PN结的伏安方程 玻尔兹曼 常数 D e 1) KT T 反向饱 温度的 和电流 电压当量电子电量 当T=300(27°C): Ur=26 mV T
模 拟 电 子 技 术 1.2.2 二极管的伏安特性 一、PN 结的伏安方程 (e 1) / D S D = − u UT i I 反向饱 和电流 温度的 电压当量 q kT UT = 电子电量 玻尔兹曼 常数 当 T = 300(27C)： UT = 26 mV
模拟电子技术 二、二极管的伏安特性 0<U<Uh ip=0 iD/mA Ut=0.5V(硅管) 正向特性 U(BR) 0.1V(锗管) 反/向榜佳/CU>Cm急剧上升 死区 UD(on)0=(0.6~0.8)V硅管07V 电压 (0.1~0.3)V锗管0.2V U(m<U<0i=k<0A(硅)几十μA(锗) U<U 1反向电流急剧增大(反向击穿)
模 拟 电 子 技 术 二、二极管的伏安特性 O uD /V iD /mA 正向特性 Uth 死区 电压 iD = 0 Uth = 0.5 V 0.1 V (硅管) (锗管) U Uth iD 急剧上升 0 U Uth UD(on) = (0.6 0.8) V 硅管 0.7 V (0.1 0.3) V 锗管 0.2 V 反向特性 I U (BR) S 反 向 击 穿 U(BR) U 0 iD = IS < 0.1 A(硅)几十 A (锗) U < U(BR) 反向电流急剧增大 (反向击穿)