(2)变容二极管的调制特性分析 () +E 加到变容管两端的电压, 它由三部分组成: R, R 即偏置电压 调制电压v/(t R 和回路振荡电压 附图一 通常,回路振荡电压幅度较小,可以认为变容管所呈现的电容 主要由偏置电压V和调制电压v()决定。 假定调制信号为单频余弦信号,v/(1)=mCOS2t 则加于变容管两端的电压v为: v=V+v cos t
（2）变容二极管的调制特性分析 ▪ 加到变容管两端的电压， 它由三部分组成： 即偏置电压 VB ， 调制电压 和回路振荡电压。 v (t) f ▪ 通常，回路振荡电压幅度较小，可以认为变容管所呈现的电容 主要由偏置电压 和调制电压 决定。 VB v (t) f ▪ 假定调制信号为单频余弦信号， ， 则加于变容管两端的电压 v 为： v t V t f ( ) = m cos v V V t = B + m cos 附图一
大频偏调制特性分析: +e R R BL R,C P C=C1+ C C +C + v=Vn+vo cos ot
1、大频偏调制特性分析： C C C C C C C C C C + = + 2 2 1 (1 ) 0 V C C + = v V V t = B + m cos
0 得 B+VOm cosset B Om 1+ cos Q2tI 0 1+)[+m B+Bs22t](1+m cos st)' 式中:(+Y)表示变容管在只有偏置电压B作用时 所呈现的电容。 nVB十b称为电容调制度,因V∠VB’m2<1 Om
▪ 得： 式中： 表示变容管在只有偏置电压 作用时 所呈现的电容。 (1 ) ' 0 0 VB C C + = VB + 称为电容调制度，因 ，故 。 = B m c V V m Vm VB 1 mc (1 cos ) (1 ) [1 cos ] ) [(1 ) cos ] cos (1 ' 0 0 0 0 m t C t V V V C t V V C V V t C C c B B m B m B m c + = + + + = + + = + + =