(甲)化学位移的来源 有机化合物分子中的氢核与裸露的质子不同,其周围还 有电子!各种化学环境不同的氢核,其周围的电子云 密度也不同 在H作用下,核外电子的环流运动会产生一感应磁 场H应。而H感成的方向总是与H相反,用化学的语言 来说,就是核外电子的存在使H核受到了屏蔽作用。 H核真正感受到的磁场强度H为: 多实=Ho-H0=H0(1-)
(甲) 化学位移的来源 有机化合物分子中的氢核与裸露的质子不同，其周围还 有电子！各种化学环境不同的氢核，其周围的电子云 密度也不同。 在H0作用下，核外电子的环流运动会产生一感应磁 场H感应。而H感应的方向总是与H0相反，用化学的语言 来说，就是核外电子的存在使1H核受到了屏蔽作用。 1H核真正感受到的磁场强度H实为： (1 ) H实 = H0 − H0 = H0 −
在真实分子中,发生核磁共振的条件是: RF 2丌 这里σ是屏蔽常数 不同化学环境的质子,因其周围电子云密度不同,裸 露程度不同,其σ值也不同,从而发生核磁共振的H不 同。这就是化学位移的来源。 所以,化学位移也可定义为由于屏蔽程度不同而引起 的NMR吸收峰位置的变化
在真实分子中，发生核磁共振的条件是： (1 ) 2 0 p g n RF = H − 这里σ是屏蔽常数。 不同化学环境的质子，因其周围电子云密度不同，裸 露程度不同，其σ值也不同，从而发生核磁共振的H0不 同。这就是化学位移的来源。 所以，化学位移也可定义为由于屏蔽程度不同而引起 的NMR吸收峰位置的变化
(乙)化学位移的表示方法 在实际测量中,化学位移不是以裸露的H为标准,而是 以某一标准物为标准,测得样品共振峰与标准样共振 峰的距离。以δ表示: 样品一V 标样 10 V样品样品的共振频率;V标样标准样的共振频率; 0 仪器的工作频率;乘106是为了读数方便 标样TMS(CH)Si)。其分子中只有一种H,且屏蔽 作用特大,在高场出峰 般有机物的δ>0,在TMS的低场(左边)出峰
(乙) 化学位移的表示方法 在实际测量中，化学位移不是以裸露的1H为标准，而是 以某一标准物为标准，测得样品共振峰与标准样共振 峰的距离。以δ表示： d= n样品 n标样 n0 － 10 6 ν样品——样品的共振频率；ν标样——标准样的共振频率； ν0 ——仪器的工作频率；乘106是为了读数方便。 标样——TMS（(CH3 ) 4 Si）。其分子中只有一种1H，且屏蔽 作用特大，在高场出峰。 一般有机物的δ＞0，在TMS的低场（左边）出峰
例:在60MHz的仪器上,测得CHCl2与TMS间 吸收频率之差为437Hz,则CHCl3中H的化学 位移为: δ=样品标样×106 437 ×106=7.28 60×10
例：在60MHz的仪器上，测得CHCl3与TMS间 吸收频率之差为437Hz，则CHCl3中1H的化学 位移为： 10 7.28 60 10 437 10 6 6 6 0 ＝ ＝ 样品－ 标样 = n n n d
常见的各种H的化学位移如下 质子的化学环覓「δ/pm质子的化学环境「δ/p0m 0 CHaNA 9-12 RCH2(饱和) 109 7.2 R2CH2(饱和) 13 RCH(他和)-1.5 4.3~6.4 CH3O 3.7 ROH 3.0~6.0 4.0 ArOh 4.5~8.0 C≡CH RN 2.5 ArNE 3.0~4.5 2.1 CHaC 23 0 55~85(宽峰 C-NH- C≡CCH 11~1.5 R-SH
常见的各种1H的化学位移如下：