三极管的电流关系 共发射极接法:发射极作为公共端; 共集电极接法:集电极作为公共端; 共基极接法:基极作为公共端。 E 各极电流之间的关系式 因Bo较小,所以 a:共基极电流传输系数 I=ale tIcO 又因a≈1则,LC≈LE B:共发射极电流放大系数。B>1 +IcEO 因Icpo较小,所少 B ≈(1+B)lE=+/B
三极管的电流关系 共集电极接法：集电极作为公共端； 共基极接法：基极作为公共端。 共发射极接法：发射极作为公共端； 各极电流之间的关系式 : 共基极电流传输系数。 C E CBO I =I + I 因ICBO较小，所以 又因 则，IC≈IE C E I I 1 因ICEO较小，所以 C B I I C B CEO I = I + I ： 共发射极电流放大系数。 E B I (1+ )I IE =IC+IB >>1
三极管的放大作用 =lg+△ l+Δ C C 发射结外加电压 十 E CC △MⅥ1①D R△vo vEB=△v1+E EE E In+△ E E △v all E +△。△vn=A×R,A △
三极管的放大作用 发射结外加电压 EB I VEE v = v + ~ E E E i = I +i ~ C E i = i ~ C C C i = I + i o C RL v = i I o V v v A =
半导体三极管的特性曲线 输入特性曲线一iB-(vgE)=常数 cB/HA 80 25°c i是输入电流, BE 是加在B、E CE 40 BE 两极间的输电压。 。20 9.2040.608 VBEAV 导通电压」锗管0103y硅管0608V 共发射极接法的输入特性曲线其中vcε=0V的那一条相当于 发射结的正向特性曲线,当vc≥1V时,vB=vc-vBE>0,集 电结已进入反偏状态,开始收集电子,且基区复合减少, lB增大,特性曲线将向右稍微移动一些。但vc再增加时,曲 线右移很不明显
半导体三极管的特性曲线 iB是输入电流， vBE是加在B、E 两极间的输电压。 输入特性曲线— iB =f(vBE) vCE= 常数 共发射极接法的输入特性曲线其中vCE=0V的那一条相当于 发射结的正向特性曲线，当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集 电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时，曲 线右移很不明显。 导通电压 锗管 0.1~0.3V 硅管 0.6~0.8V
输出特性曲线ic=f(vCE)=常数 ic是输出电流,vcε是输出电压 (1)放大区: I c/mA 发射结正偏、集电结反偏↑饱和区 Vc大于07V左右(硅管)。4 120μA (2)截止区: 放大区80μA 40HA 发射结和集电结均为反偏。1 =0截止区 IB=0以下的区域。 468 E/V (3饱和区: 发射结和集电结均为正偏。 IC随着Vcε的变化而迅速变化。 工程上以VcE=0.3伏作为放大区和饱和区的分界线
输出特性曲线—iC=f(vCE) iB= 常数 iC是输出电流，vCE是输出电压。 ⑴放大区： 发射结正偏、集电结反偏 ⑵截止区： IB=0以下的区域。 ⑶饱和区： 发射结和集电结均为正偏。 IC随着VCE的变化而迅速变化。 工程上以VCE=0.3伏作为放大区和饱和区的分界线。 VCE大于0.7V左右(硅管) 。 发射结和集电结均为反偏
RL b BB
动画2-2