一、正电子湮灭寿命谱技术 PDF文件使用"pdfFactory”试用版本创建耀.fineprint.cn
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Effect of Positron Trapping in Crystal Lattice Defects e source thermalization 0O100 o000O diffusion typical diffusion length: 入=100nm trapping PDF文件使用"pdfFactory”试用版本创建iw.fineprint.cn
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Three Methods of Positr Annihilation Birth y-ray 1.27 MeV △t 1.Positron lifetime 2.Angular correlation Sample Px.y x.V moc positron source ● 22-Na diffusion (100 nm) 100μm Thermalization (1ps) 3.Doppler broadening 0.511MeV±AE,AE=Pzc2 PDF文件使用"pdfFactory”试用版本创建iw.fineprint.cn
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正©子技术与其它技术比较 10 ST M/AF M S T M/AF M 10 N 100 口d OM TEM 10 nS 01 XRS TEM XRS nS 100 100 10 目1 o sitron Spertroscony 0.1 sitron troscopy 0.11101001 10100110 0.1110100110100110 nm m mm nm m mm Depth Depth OM:Optical Microscopy nS:neutron Scattering TEM:Transmission Electron Microscopy XRS:X-Ray Scattering STM:Scanning Tunneling Microscopy AFM:Atomic Force Microscopy PDF文件使用"pdfFactory”试用版本创建替fineprint.cn
OM: Optical Microscopy nS: neutron Scattering TEM: Transmission Electron Microscopy XRS: X-Ray Scattering STM: Scanning Tunneling Microscopy AFM: Atomic Force Microscopy 正电子技术与其它技术比较 PDF 文件使用 "pdfFactory" 试用版本创建 ÿ替Ì www.fineprint.cn ÿ
1.寿命谱技术。 SCA 22Na Source 1.27 MeV y Start PM Start MCA 1.27 MeV Sample TAC Stop PM 511 keV 511 keV SCA Scintillator 511 keV PDF文件使用"pdfFactory”试用版本创建耀.fineprint.cn
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