业精于勤而6楚 存储器类型与组成 6.1.2半导体存储技术发展 ◆CMOS工艺制造的DRAM,只需要1个晶体管和1个电 容就可以存储1位数据 ◆内存芯片制程工艺达到了45nm线宽。 ◆单内存芯片存储容量达到了2Gbit。 ◆DRAM与SRAM的性能差别在缩小。 ◆SRAM是对晶体管锁存器进行读写。 ◆DRAM是对存储器电容进行读写。 6 信息技术教学实验中心
信息技术教学实验中心 业精于勤而荒于 嬉 6 业精于勤而荒于嬉 6.1 存储器类型与组成 6.1.2 半导体存储技术发展 CMOS工艺制造的DRAM，只需要1个晶体管和1个电 容就可以存储1位数据。 内存芯片制程工艺达到了45nm线宽。 单内存芯片存储容量达到了2Gbit。 DRAM与SRAM的性能差别在缩小。 SRAM是对晶体管锁存器进行读写。 DRAM是对存储器电容进行读写
业精于勤而捷 存储器类型与组成 6.1.3内存基本类型 ◆]EDEC制定了一系列的内存技术标准。 ◆SDRAM可以实现与CPU的同步工作，因此称为“同步 动态存储器”。 ◆SDRAM属于DRAM,它不是SRAM。 ◆SDRAM内部有几个P-Bank(物理存储阵列组)，通 过多个存储阵列组的切换，读写数据的效率得到了成 倍提高。 7 信息技术教学实验中心
信息技术教学实验中心 业精于勤而荒于 嬉 7 业精于勤而荒于嬉 6.1 存储器类型与组成 6.1.3 内存基本类型 JEDEC制定了一系列的内存技术标准。 SDRAM可以实现与CPU的同步工作，因此称为“同步 动态存储器”。 SDRAM属于DRAM，它不是SRAM。 SDRAM内部有几个P-Bank（物理存储阵列组），通 过多个存储阵列组的切换，读写数据的效率得到了成 倍提高
业精于勤而6捷 存储器类型与组成 6.1.3内存基本类型 ◆DDR在时钟上升和下降沿都可传输数据。 ◆SDRAM仅在时钟下降沿传输数据。 ◆一般将DDR SDRAM内存统称为DDR内存。 Double Data Rate Signaling (DDR) 电 核心频率 时钟频率 数据传输率 System 100MHz 100MHz 100Mbps Clock 1几几Π凡 Sample Points SDR 存储单元 1/o SDRAM 阵列 缓冲区 2 bits per clock 8 信息技术教学实验中心
信息技术教学实验中心 业精于勤而荒于 嬉 8 业精于勤而荒于嬉 6.1 存储器类型与组成 6.1.3 内存基本类型 DDR在时钟上升和下降沿都可传输数据 在时钟上升和下降沿都可传输数据。 SDRAM仅在时钟下降沿传输数据。 一般将DDR SDRAM内存统称为DDR内存
业精于勤而捷 存储器类型与组成 6.1.4内存组成形式 ◆不同标准的内存条，外观上并没有太大区别，但它们 的工作电压、引脚数量、功能定义和定位口位置不 同，互相不能兼容。 133.35 7.55 散热片 印刷电路板(PCB) 内存 芯片 2000 SPD 金手指 DDR内存 9 信息技术教学实验中心
信息技术教学实验中心 业精于勤而荒于 嬉 9 业精于勤而荒于嬉 6.1 存储器类型与组成 6.1.4 内存组成形式 不同标准的内存条 不同标准的内存条，外观上并没有太大区别，但它们 的工作电压、引脚数量、功能定义和定位口位置不 同，互相不能兼容
业精于勤而塘 存储器类型与组成 6.1.4内存组成形式 贸贸 DDR内存 术教学实验中心
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