表面膜的破坏 表面膜中的应力 表面氧化膜中存在内应力。形成应力的原 因是多方面的,包括氧化膜成长产生的应 力,相变应力和热应力。内应力达到一定 程度时,可以由膜的塑性变形、金属基体 塑性变形,氧化膜与基体分离,氧化膜破 裂等途径而得到部分或全部松弛。 膜破裂的几种形式
• 表面膜的破坏 ●●表面膜中的应力 表面氧化膜中存在内应力。形成应力的原 因是多方面的，包括氧化膜成长产生的应 力，相变应力和热应力。内应力达到一定 程度时，可以由膜的塑性变形、金属基体 塑性变形，氧化膜与基体分离，氧化膜破 裂等途径而得到部分或全部松弛。 ●●膜破裂的几种形式
Me Me (a)未破裂的空泡 (b)破裂的空泡 (C)气体不能透过的微泡 % e d)剥落 (e)切口裂开 氧化膜在成长时发生破坏的几种类型 (f)在角和棱边上裂开 (根据 TOMAWOB)
Me Me Me Me Me Me （a）未破裂的空泡 （b）破裂的空泡 （c）气体不能透过的微泡 （d)剥落 （e）切口裂开 氧化膜在成长时发生破坏的几种类型 （f）在角和棱边上裂开 （根据TOMAWOB）
氧化膜成长的实验规律 膜的成长可以用单位面积上的增重△W+/S 表示,也可以用膜厚y表示。在膜的密度均 匀时,两种表示方法是等价的 膜厚随时间的变化 (1)直线规律 y kt 直线规律反映表面氧化膜多孔,不完整, 对金属进一步氧化没有抑制作用
• 氧化膜成长的实验规律 膜的成长可以用单位面积上的增重W+ /S 表示，也可以用膜厚y表示。在膜的密度均 匀时，两种表示方法是等价的。 ●●膜厚随时间的变化 （1）直线规律 y = kt 直线规律反映表面氧化膜多孔，不完整， 对金属进一步氧化没有抑制作用
575摄氏度 551摄氏度 增量⌒米厘毫克 503摄氏度 526摄氏度 0 3040 时间(小时) 纯镁在氧气中氧化的直线规律 (根据Uhig)
5 4 3 2 1 0 10 20 30 40 50 60 70 时间（小时） 增 量 （ 2 米 厘 / 毫 克 ） 纯镁在氧气中氧化的直线规律 （根据Uhlig） 575摄氏度 551摄氏度 526摄氏度 503摄氏度