1.1半导体中的电子特征 受主能级和受主电离 E E 99旦EA △EA 子子 E 图2-6受主能级和受主电离 类氢原子模型:MA=850h P
1.1 半导体中的电子特征 2 0 * 4 8 h m q E r p A 类氢原子模型： = 受主能级和受主电离
1.1半导体中的电子特征 杂质能级上的电子和空穴分布 应用Ferm-Dac分布可以得到: 施主能级被电子占据的概率1(E)=M/ En-E 受主能级被空穴占据的概率(E) Er-E exp 电离施主浓度 Np-nD=N(I-f(eD E-E 1+2 expe 电离受主浓度 p=N4-p4=N4(1-f(E)= E-E 1+2 expe k T
1.1 半导体中的电子特征 杂质能级上的电子和空穴分布 应用Fermi-Dirac分布可以得到： ex p ( ) 2 1 1 1 ( ) k T E E f E B D F D - + = ex p ( ) 2 1 1 1 ( ) k T E E f E B F A A - + = 1 2 ex p ( ) (1 ( )) k T E E N p N p N f E B F A D A A A A A - + - = - = - = - 1 2 ex p ( ) (1 ( )) k T E E N n N n N f E B D F A D D D D D - + - = - = - = + 施主能级被电子占据的概率 受主能级被空穴占据的概率 电离施主浓度 电离受主浓度