模拟电子技术基础 第二章 半导体三极管
1 第二章 半导体三极管 模拟电子技术基础
模拟电子技术基础 BJT的结构简介: BJT常 根 集电区 电 它们 基区 电极c 发射区 两个PN结:发射结、集电结。 2
2 一、BJT的结构简介： BJT常称晶体管，种类很多,但从外形看，BJT都有三个电极。 根据结构不同，BJT可分成两种类型：NPN型和PNP型。 结构上可分成： 三个区域：基区、发射区、集电 区。 三个电极：从三个区各自接出的 一根引线就是BJT的三个电极，它们 分别叫做发射极e、基极b和集电极c 。 两个PN结：发射结、集电结。 模拟电子技术基础
模拟电子技术基础 BJT的结构简介: PNP型三极管的结构 制造工艺: (1)发射区比基区、集电 区掺杂浓度大。 (2)集电结面积比发射区 |的大 (3)基区薄(几um几十 (m高频几um,低频几十um 因此发射区、集电区并不是 对称的
3 制造工艺： （1）发射区比基区、集电 区掺杂浓度大。 （2）集电结面积比发射区 的大。 （3）基区薄(几um——几十 um),高频几um，低频几十um 因此发射区、集电区并不是 对称的。 一、BJT的结构简介： PNP型三极管的结构 模拟电子技术基础
模拟电子技术基础 、BJT的电流分配与放大作用: 1.BJT内部载流子的传输过程: 使发射区发射电子,集电区收集电子,必须具备的条件是 a发射结加正向电压(正向偏置)V2>0 b集电结加反向电压(反向偏置)VeO 更高c 更低 e 低 高e
4 二、BJT的电流分配与放大作用： 1．BJT内部载流子的传输过程: 使发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的条件是： a.发射结加正向电压(正向偏置):Vbe>0 N N P VBB RB VCC RC b.集电结加反向电压(反向偏置):Vbc<0 模拟电子技术基础
模拟电子技术基础 三极管内部载流子的运动 =l+lCBo≈L (1)发射区向基区注入电子: 发射区的多数载流子扩散到基 区,形成电流N B 基区空穴也扩散到发射区形成 电流I 总发射极电流I N IE=lEN+ IEP
5 ICBO ICN IC=ICN+ICBO ICN IE = IEN+ IEP IEP IEN N N P VCC RC VBB RB IB IBN (1)发射区向基区注入电子: 发射区的多数载流子扩散到基 区，形成电流IEN 基区空穴也扩散到发射区形成 电流IEP 总发射极电流 IE= IEN+IEP IE ≈IEN 三极管内部载流子的运动 模拟电子技术基础