模拟电子技术基础 三极管内部载流子的运动 L=la+lCBo≈L (2)集电区收集扩散过来的电子 集电结所加的是反向电压, 可使电子很快地漂移过集电结为集 B 电区所收集,形成集电极电流CN a集电极电流L=lc+LCBo≈LN IE=IEN+ IEp 6
6 N N P VBB RB VCC IE = IEN+ IEP ICBO ICN IC=ICN+ICBO ICN IEP RC IBN IEN IB 三极管内部载流子的运动 (2)集电区收集扩散过来的电子： 集电结所加的是反向电压， 可使电子很快地漂移过集电结为集 电区所收集，形成集电极电流ICN 。 集电极电流 IC=ICN+ ICBO ≈ICN 模拟电子技术基础
模拟电子技术基础 三极管内部载流子的运动 (3)电子在基区中的扩散与复合 电子在扩散过程中又会与基 区中的空穴复合形成电流lBN =l+lCBo≈L 基区和集电区的少子都要向 对方漂移,形成一个反向饱和电流 CBo,受温度影响很大。 B B EPCN2 CBO EPBNCBO B EP E Cnl CBO
7 三极管内部载流子的运动 N N P VBB RB VCC IE = IEN+ IEP ICBO ICN IC=ICN+ICBO ICN IEP RC IBN IEN IB (3)电子在基区中的扩散与复合 电子在扩散过程中又会与基 区中的空穴复合形成电流IBN。 基区和集电区的少子都要向 对方漂移，形成一个反向饱和电流 ICBO ，受温度影响很大。 IB=IEP +ICN2 –ICBO = IEP +IBN –ICBO B EP En Cn CBO I = I +(I − I )− I 1 模拟电子技术基础
模拟电子技术基础 2.电流分配关系: =+lcBo≈L +I ENEPEN BBN TIEP-ICBOTIBN"ICBO IBN CO NCBO Is=e+I I=I + M=a,a叫共基直流电流放大系数,平时a≈ E
8 2．电流分配关系： IE= IEN+IEP≈IEN IB=IBN +IEP -ICBO≈IBN-ICBO ≈IBN IC=ICN+ ICBO ≈ICN E C EN CN I I I I = ,叫共基直流电流放大系数，平时 1 IE=IC +IB N N P VBB RB VCC IE = IEN+ IEP ICBO ICN IC=ICN+ICBO ICN IEP RC IBN IEN IB 模拟电子技术基础
模拟电子技术基础 各极电流之间关系式 l=alr+/ CBO 共基极连接时输出电流I受输入电流I控制的电流传输方程。式中,称为 共基极电流传输系数( Common base current),表示I转化为In1的能力。显然, 其值恒小于1,但十分接近于1,一般在098以上,且在I的大变化范围内几乎 保持恒值。通常ICBo很小,对于硅管,其值为(109-10-10)A,一般可忽略,因而 电流传输方程可简化为 C a为一电流放大系数, 般a=0.9~0.99 E
9 各极电流之间关系式 E cn I I a = 1 共基极连接时输出电流Ic受输入电流Ib控制的电流传输方程。式中， 称为 共基极电流传输系数(Common Base Current)，表示IE转化为Icn1的能力。显然， 其值恒小于1，但十分接近于1，一般在0.98以上，且在IE的大变化范围内几乎 保持恒值。通常ICBO很小，对于硅管，其值为(10-9 -10-16)A，一般可忽略，因而 电流传输方程可简化为 C E CBO I = aI + I 模拟电子技术基础
各极电流之间关系式 I+ CBO 1-c B B是另一个电流放大系数, 般B>1 c=BlB+(1+ B)cBo IcEO =(1+ B)lcBo E=lB(1+β) 10
10 各极电流之间关系式 C B CBO I I I − + − = 1 1 1 − = 1 C B CBO I = I + (1+ )I CEO CBO I = (1+ )I