玉学)仁壁器」 杂质半导体中载流浓度计算 N型半歇体了 anopino=m(质量作用定理) no=Na+pn≈N(电中性方程) P型半导体 popo Pmo=Na+n≈Na 杂质半导体呈电中多子浓度取决于掺杂浓度。 少子浓度取决于温度。 区园
➢ 杂质半导体中载流浓度计算 N型半导体 2 nno pno = ni （质量作用定理） nno = Nd + pno Nd （电中性方程） P型半导体 2 pponpo = ni pp o = Na + np o Na 杂质半导体呈电中性 少子浓度取决于温度。 多子浓度取决于掺杂浓度
玉学)仁壁器」 1.1.3两种导电机理漂移和扩散 令漂移与漂移电流 载流子在电场作用下的运动运动称漂移运动, 所形成的电流称漂移电流。 gudE 漂移电流密度 迁移率 Unt=-(pune 总漂移电流密度:J1=Jp+Jm Eq(pup +nun)
1.1.3 两种导电机理——漂移和扩散 载流子在电场作用下的运动运动称漂移运动， 所形成的电流称漂移电流。 漂移电流密度 J pt = qpP E J nt = −(−q) pn E 总漂移电流密度： ( ) t p t n t Eq p P nn J = J + J = + 迁移率 漂移与漂移电流
玉学)仁壁器」 半导体的电导率 电场E 截面积S长度 电压:V=EL 电流:I=SJ 电阻 V El l R I J S S 电导率 =g(pup+nun) p E
电导率： ( ) 1 P n t q p n E J = = = + ➢ 半导体的电导率 电阻： S l J S El I V R = = = t 电压： V = E l 电流： I = S Jt + - V 截面积S 长度l 电场E I
玉学)仁壁器」 扩散与扩散电流 载流子在浓度差作用下的运动称扩散运动, 所形成的电流称扩散电流。 光照 N型硅 扩散电流密度: 载流子浓度 qd ap(r) nlx) P( Und=-(qD dn(x)
载流子在浓度差作用下的运动称扩散运动， 所形成的电流称扩散电流。 扩散电流密度: x p x J qD d d ( ) pd = − p x n x J q D d d ( ) ( ) n d = − − n ➢ 扩散与扩散电流 光照 N 型 硅 n(x) p(x) 载流子浓度 x no po