金属和半导体接触在半导体表面形成的表面势为： 4=-4,=w0)=gx 2 &si 电荷密度 耗尽层厚度与表面势的 关系满足： Charge density xa 2E4 电场 Electric field 耗尽层电荷量为： 8s1 电势 O=qAxaNa =Av2qEs:Nag 19 Potential 其中A为半导体耗尽区横 截面积 等同于PN结的单边突变结的结果 2023/5/15 Principle of Semiconductor Devices 16
2023/5/15 Monday 16 Principle of Semiconductor Devices
4、金属半导体接触的几种情况 ●对M/n型半导体： ◆Wm>Ws能带上弯-电子势垒 空间电荷一电离施主 ◆Wm<Ws能带下弯-电子势阱 空间电荷一电子积累 势垒一阻挡层，势阱一反阻挡层 2023/5/15 Principle of Semiconductor Devices 17
4、金属半导体接触的几种情况 对M / n型半导体: ♦ Wm>Ws 能带上弯--电子势垒 空间电荷—电离施主 ♦ Wm<Ws 能带下弯--电子势阱 空间电荷—电子积累 势垒—阻挡层, 势阱—反阻挡层 2023/5/15 Monday 17 Principle of Semiconductor Devices
9中x帽 qvo 1 Wm>Ws 电子势垒 x过 Wm<Ws 电子势阱 Ee 2023/5/15 Principle of Semiconductor Devices 18
Wm>Ws 电子势垒 Wm<Ws 电子势阱 2023/5/15 Monday 18 Principle of Semiconductor Devices
对M/p型半导体： ◆Wm>Ws能带上弯-空穴势阱 空间电荷一空穴积累 ◆Wm<Ws能带下弯-空穴势垒 空间电荷一电离受主 势垒—阻挡层，势阱一反阻挡层 2023/5/15 Principle of Semiconductor Devices Mondav 19
对M / p型半导体: ♦ Wm>Ws 能带上弯--空穴势阱 空间电荷—空穴积累 ♦ Wm<Ws 能带下弯--空穴势垒 空间电荷—电离受主 势垒—阻挡层, 势阱—反阻挡层 2023/5/15 Monday 19 Principle of Semiconductor Devices
9VD=Wm-W, 肿ts形m一X Er 9DΨ，一W Wm<Ws Wm>Ws 空穴势垒 空穴势阱 2023/5/15 Principle of Semiconductor Devices 20
Wm<Ws 空穴势垒 Wm>Ws 空穴势阱 2023/5/15 Monday 20 Principle of Semiconductor Devices