1.1.1本征半导体 本征半导体--载流子密度 热(T)一激发一载流子密度 热平衡 复合一载流子密度 温度每升高10度,n(T)、p(T)增大一倍。 注意: 1)本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差 (2)温度越高,载流子的数目越多,半导体的导电性能也就越好。 可见,温度对半导体器件性能影响很大
28 热（T） 载流子密度 复合 激发 载流子密度 热平衡 温度每升高10度，ni (T)、pi (T)增大一倍。 1.1.1 本征半导体 本征半导体------载流子密度 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差。 (2) 温度越高， 载流子的数目越多,半导体的导电性能也就越好。 可见，温度对半导体器件性能影响很大
1.1.2杂质半导体 杂质半导体一在本征半导体中掺入微量其它元素而得到 的半导体。 杂质半导体可分为: N型(电子)半导体和P型(空穴)半导体两类
29 杂质半导体—在本征半导体中掺入微量其它元素而得到 的半导体。 杂质半导体可分为： N型(电子)半导体和P型(空穴)半导体两类。 1.1.2 杂质半导体
1.1.2杂质半导体 1.N型半导体 构成:在本征半导体中掺入微量五价元素物质(磷、砷等)而 得到的杂质半导体 结构图 ><9更 +4 本征半导体 磷 多余电子 +施主杂质 原 子 (Donor) +5 ● N型半导体 ●
30 1.1.2 杂质半导体 1.N型半导体 构成：在本征半导体中掺入微量五价元素物质（磷、砷等）而 得到的杂质半导体。 结构图 本征半导体 +施主杂质 (Donor) = N型半导体
1.1.2杂质半导体 1.N型半导体 提供电子的磷原子因带正电荷而 成为正离子。上述过程称为 施主杂质电离。 磷原子 多余电子 5价杂质原子又称施主杂质。 +5 杂质原子电离电子正离子对N型半导体 热激发 电子空穴对 是带负电 的吗? 多子 少子
31 1.1.2 杂质半导体 提供电子的磷原子因带正电荷而 成为正离子。上述过程称为 施主杂质电离。 5价杂质原子又称施主杂质。 1.N型半导体 杂质原子电离 电子 正离子对 热激发 电子 空穴对 多子 少子 N型半导体 是带负电 的吗？
1.1.2杂质半导体 2P型半导体 构成:在本征半导体中掺入微量三价元素物质(硼、铝等)而 得到的杂质半导体。 结构图 9< 空 本征半导体 穴 原 +受主杂质 子 (Acceptor) 13 6●:)、o P型半导体
32 构成：在本征半导体中掺入微量三价元素物质（硼、铝等）而 得到的杂质半导体。 结构图 1.1.2 杂质半导体 2.P型半导体 本征半导体 +受主杂质 (Acceptor) = P型半导体