《数字电子技术基础》第五版 R RI TH 二VT+ =(1+)丿m R R R 1=Vr=(1 TH R TH DD Uo 有大
《数字电子技术基础》第五版 I T VTH R R V V ( ) 2 1 = + = 1+ I T VTH R R V V ( ) 2 1 = − = 1−
《数字电子技术基础》第五版 10.22集成施密特触发器 双极型TC V=0时,T截止,T2饱和导通,V=V OL R R R E2≈(cc-cEs2 2k2231.4 kQ2 R3+R4 |1当V↑,至V=V2+0.7时,T导通,并引起 v个→i1↑→ψ→i2↓ BE←Vn R 4809∴迅速转为T导通,T2截止→V=Vn R 0≈1.9 VE2→ VEIFVce! CER2+R 大台
《数字电子技术基础》第五版 10.2.2 集成施密特触发器 一、双极型IC 1. 3 4 4 2 2 0 1 2 R R R V V V V T T V V E CC CES I O OL + − = = ( ) 时， 截止， 饱和导通， → → → = + BE E I C C C I I E V V V i V i V V V V T 1 1 1 2 2 1 当 ，至 0.7 时， 导通，并引起 T T VO VOH 迅速转为 导通， 截止 = 1 2 2 4 4 2 1 1 R R R VE VE Vcc VCES + → ( − ) VOL 1.9V
《数字电子技术基础》第五版 R R V=时,T饱和,T2截止,V=Vom 2k14k2 E≈( CC-VCESI R2+R4 BI 当,至V=VE1+0.7时,T脱离饱和,并引起 v→iψ→V1↑→c2个 VIVa R4 480g 迅速转为T截止,T2导通→V V.=V,+0.7 va1→VE2=VV(sy)k,+R R E1≈(a-a)R R+r V,=V,+0.7 有大
《数字电子技术基础》第五版 2 4 4 1 1 1 1 2 R R R V V V V T T V V E CC CES I O OH + − = = ( ) 时， 饱和， 截止， → → → = + BE E I C C C I I E V V V i V i V V V V T 1 1 1 2 1 1 当 ，至 0.7 时， 脱离饱和，并引起 T T VO VOL 迅速转为 截止， 导通 = 1 2 3 4 4 1 2 2 R R R VE VE Vcc VCES + → ( − ) VT+ =VE2 + 0.7V VT+ =VE1 + 0.7V 2 4 4 1 1 R R R VE Vcc VCES + ( − )
《数字电子技术基础》第五版 2.器件实例7413 二极管与门 施密特电路平偏移输出电路 R 4k932k951.4k9 R T U T B D B U T T UI C D 图形符号 T RA R 本本本本 4809 r8 附加部分: 输入加“与门” 输出加推拉式输出级“反相 OL 电压值较高,加入电平偏移部分 00.51.01.52.0 莘大
《数字电子技术基础 》第五版 2. 器件实例 74 13 电压值较高，加入电平偏移部分 输出加推拉式输出级“反相” 输入加“与门” 附加部分： VO L
《数字电子技术基础》第五版 CMOS IC 施密特电路 整形级 缓冲级 T T7 T 输入 U 保护 T T VDp=15V T T1 10V 10 15
《数字电子技术基础 》第五版 二、CMOS IC