拟电子彼求 第2、3,章
小 结 第 2、3 章
拟电子彼求 第2、3章小结 两种半导体放大器件 双极型半导体三极管(晶体三极管BJT)两种载流子导电 单极型半导体三极管(场效应管FET)多数载流子导电 晶体三极管 1形式与结构[NPN}三区、三极、两结 PNP 2.特点基极电流控制集电极电流并实现放大 放大∫内因:发射区载流子浓度高、基区薄、集电区面积大 条件外因:发射结正偏、集电结反偏 3.电流关系 +IB I=c+ e C B c=Blb+ CEO c=BlB E=(1+B)l bCEO =(1+B)lB
一、两种半导体放大器件 双极型半导体三极管(晶体三极管 BJT) 单极型半导体三极管(场效应管 FET) 两种载流子导电 多数载流子导电 晶体三极管 1. 形式与结构 NPN PNP 三区、三极、两结 2. 特点 基极电流控制集电极电流并实现放大 放大 条件 内因：发射区载流子浓度高、基区薄、集电区面积大 外因：发射结正偏、集电结反偏 3. 电流关系 IE = IC + IB IC = IB + ICEO IE = (1 + )IB + ICEO IE = IC + IB IC = IB IE = (1 + ) IB 第 2、3 章 小 结
拟电子彼求 第2、3章小结 4.特性 ic /mA IRAHA -00pA 80 80A 3 40A 20 LA MV O0.40.84BE/V 6912 死区电压(U):0.5V(硅管)0.,V(锗管) 工作电压(Uwo):0.6~0.8V取07V(硅管) 02~0.3V取0.3V(锗管) 放大区特点:1)i决定i 2)曲线水平表示恒流 3)曲线间隔表示受控
4. 特性 iC / mA uCE /V 100 µA 80 µA 60 µA 40 µA 20 µA IB = 0 O 3 6 9 12 4 3 2 1 O 0.4 0.8 iB / A uBE / V 60 40 20 80 死区电压(Uth)： 0.5 V (硅管) 0.1 V (锗管) 工作电压(UBE(on) ) ：0.6 0.8 V 取 0.7 V (硅管) 0.2 0.3 V 取 0.3 V (锗管) 放大区 饱 和 区 截止区 放大区特点： 1)iB 决定 iC 2)曲线水平表示恒流 3)曲线间隔表示受控 第 2、3 章 小 结
拟电子彼求 第2、3章小结 5.参数 特性叁电流放大倍数/BB=a/1-a) aa=B/(1+B) 极间反向电流|lcBo ICEO=(1+B)IcBo CM C 极限参数!Po CM (BRCEO 作 CEO uCE (BRICEO
5. 参数 特性参数 电流放大倍数 = /(1 − ) = /(1 + ) 极间反向电流 ICBO ICEO 极限参数 ICM PCM U(BR)CEO O uCE ICEO iC ICM U(BR)CEO PCM 安 全 工 作 区 = (1 + ) ICBO 第 2、3 章 小 结
拟电子彼求 第2、3章小结 场效应管 1.分类 绝缘栅型∫增强型 按导电∫N沟道 按结构分{(Mos)(耗尽型 沟道分P沟道 结型(耗尽型) 按特性分∫增强型us=0时,i=0 耗尽型l(s=0时,i≠0 2.特点 栅源电压改变沟道宽度从而控制漏极电流 输入电阻高,工艺简单,易集成
场效应管 1. 分类 按导电 沟道分 N 沟道 P 沟道 按结构分 绝缘栅型 (MOS) 结型 按特性分 增强型 耗尽型 uGS = 0 时， iD = 0 uGS = 0 时， iD 0 增强型 耗尽型 (耗尽型) 2. 特点 栅源电压改变沟道宽度从而控制漏极电流 输入电阻高，工艺简单，易集成 第 2、3 章 小 结