拟电子彼求 第2、3章小结 3.特性 由于FET无栅极电流,故采用转移特性和输出特性描述 不同类型FET的特性比较参见ch22第6页 不同类型FET转移特性比较 N沟道 结型/ MA MOS管 尽型/增强型 夹断电压耗尽型) 开启电压 GS(off) GS(th) GS 八V i=Ions (1- Gs-5 2 GS GS(off) Gs(th) IDo是ues=2Ls时的i值
由于 FET 无栅极电流，故采用转移特性和输出特性描述 不同类型 FET 转移特性比较 3. 特性 不同类型 FET 的特性比较参见ch22 第 6 页 结型 N 沟道 uGS /V iD /mA O 耗尽型 增强型 MOS 管 (耗尽型) 2 GS(th) G S D DO = ( −1) U u i I IDSS 开启电压 UGS(th) 夹断电压 UGS(off) 2 GS(off) G S D DSS (1 ) U u i = I − IDO 是 uGS = 2UGS(th) 时的 iD 值 第 2、3 章 小 结
模拟电子位术 第2、3章小结 晶体管电路的基本问题和分析方法 三种工作状恋 状态电流关系 条件 判断导通还是截止:放大Ic=BIB 发射结正偏 以NPN为例: 集电结反偏 UBE>U(t)则导通 饱和c≠BB两个结正偏 UBE<U(t)则截止 临界 集电结零偏 截止Ln<0,L=0两个结反偏 判断饱和还是放大: 1.电位判别法NPN管 PNP 管 UC>UB>UE放大 U<UB<U放大 U<Uc≤U饱和 U>UC≥Ua饱和 2电流判别法lB>lBs则饱和 C CC CE(sat) B<IBs则放大 BS BB(RC+Re
二、晶体管电路的基本问题和分析方法 三种工作状态 状态 电流关系 条 件 放大 I C = IB 发射结正偏 集电结反偏 饱和 I C IB 两个结正偏 ICS = I 临界 BS 集电结零偏 截止 IB < 0, IC = 0 两个结反偏 判断导通还是截止： UBE > U(th) 则导通 以 NPN为 例： UBE < U(th) 则截止 判断饱和还是放大： 1. 电位判别法 NPN 管 UC > UB > UE 放大 UE < UC UB 饱和 PNP 管 UC < UB < UE 放大 UE > UC U B 饱和 2. 电流判别法 IB > IBS 则饱和 IB < IBS 则放大 ( ) C E CS CC CE(sat) BS R R I V U I + − = = 第 2、3 章 小 结