运城学院2.PN结的单向导电性Yuncheng University电源正极接P区，负极接N区(1）加正向电压（正偏）外电场的方向与内电场方向相反。外电场削弱内电场一耗尽层变窄一扩散运动>漂移运动一→多子扩散形成正向电流IP型半导体空间电荷区N型半导体正向电流内电场ER机电工程系Ew
机电工程系 机 电 工 程 系 2. PN结的单向导电性 (1) 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。 →耗尽层变窄 →扩散运动＞漂移运动 →多子扩散形成正向电流I F － － － － － － － + + － + + + + + － + P型半导体 － － + + N型半导体 + － + EW R 空间电荷区 内电场E 正向电流 外电场削弱内电场
运城学院Yuncheng University(2）加反向电压电源正极接N区，负极接P区外电场的方向与内电场方向相同。外电场加强内电场一耗尽层变宽一漂移运动>扩散运动→少子漂移形成反向电流IR空间电荷区在一定的温度下，由本征激发产生的少子浓度是一定的，故I基本上与外加反压的大小无关，所以称为反向饱和电流。。但R内电场E与温度有关。机电工程系
机电工程系 机 电 工 程 系 (2) 加反向电压——电源正极接N区，负极接P区 外电场的方向与内电场方向相同。 →耗尽层变宽 →漂移运动＞扩散运动 →少子漂移形成反向电流I R + － － － + － － 内电场 + + － + － + E + － EW － － － + 空 间 电 荷 区 + － R + + + I R 在一定的温度下， P由本 N 征激发产生的少子浓度是 一定的，故IR基本上与外 加反压的大小无关，所以 称为反向饱和电流。但IR 与温度有关。 外电场加强内电场
运城学院Yuncheng UniversityPN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，PN结导通：PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性机电工程系
机电工程系 机 电 工 程 系 PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现 低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现 高电阻， PN结截止。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性