RC高通电路的频率特性 R U R+1/jOC 1+ljaRC 0R令1/RC=则f=12mRC 1+(f1/) g= rotan f1/∫超前 f≥10f20lgA =0 dB q≈0 几20g}4=201g0.7071=-3dBp=45° f≤0.1f20lg4l=-0gf/ q≈90° 6
6 二、RC 高通电路的频率特性 R C RC R U U Au 1 1/j 1 1/ j i o + = + = = • • • f f L 1 j 1 - = 令 1/RC = L则 fL = 1/2RC = arctan f L / f 超前 1 ( / ) 1 2 L f f Au + = f 10 fL 20lg|Au | = 0 dB 0 f = fL 20lg|Au | = 20lg0.7071 = -3 dB = 45 f 0.1 fL 20lg|Au | = -20lg f / fH 90 R C Ui Uo • •
例5.11求已知一阶低通电路的上限截止频率。 a1:戴学定「员l 09 0.01 2兀RC2×3.14×0.5k2×0.01uF 318(kHz) 例51.2已知一阶高通电路的f=300Hz,求电容C C 500gC 2If R 2×3.14×300Hz×25009 =0.212(pF) 7
7 例 5.1.1求已知一阶低通电路的上限截止频率。 0.01 F 1 k 1 k 1//1 k 0.01 F RC f = 2 1 H 2 3.14 0.5 k 0.01 F 1 = = 31.8 (kHz) 例 5.1.2已知一阶高通电路的 fL = 300 Hz，求电容 C 。 500 C 2 k f R C L 2 1 = = 2 3.14 300 Hz 2500 1 = 0.212 (F) 戴维宁定理等效
课本P214 5.2晶体管的高频等效模型 混合型高频小信号模型 (1)物理模型 基区的体电阻,b是假想 的基区内的一个点。 re-发射结电阻 rbe-re归算到基极回路的电阻 Che-发射结电容,也用C这一符号 7bc--集电结电阻 双极型三极管 Cb--集电结电容,也用C这一符号 物理模型 8
8 双极型三极管 物理模型 （1）物理模型 rb'e--- re归算到基极回路的电阻 Cbe ---发射结电容，也用C这一符号 rbc ---集电结电阻 Cbc ---集电结电容，也用C这一符号 rbb' ---基区的体电阻，b'是假想 的基区内的一个点。 re --- 发射结电阻 一、混合π型高频小信号模型 课本P214 5. 2 晶体管的高频等效模型
课本P215 (2)混合π型微变等效电路 Boll lb C be e C1 e 高频混合π型小信号模型电路图 简化: 为什么不考虑C2e050x 忽略rb、r b bo Ce 9
9 高频混合π型小信号模型电路图 （2）混合π型微变等效电路 简化： 忽略rb’c 、 rce 课本P215 为什么不考虑C '' ？
(3)参数计算 b C 课本P215 bo 据 r tr bb b'e 26mV Ib+(1+β (mA) sb b C 26mV 得b=(1+β If(mA) bb b'e 据 gm Vh=βI b'e 低 b'e 频 得g β_IE(mA) 时 m ≈38.5lc(mS) 26mV e e 另C1=mf是三极管的特征频率 b'c 是 2 If T 手册上的C。b 10
10 低 频 时 （3）参数计算 I (mA) 26mV r (1 ) r r r E b b e b b' b'e = + + 据 = + bb' be b'e E b'e r r r I (mA) 26mV r (1 ) = - 得 = + b'e b'e m b'e b b r V g V I I 据 = = 38.5I (mS) 26mV I (mA) r g C E b'e m = 得 = 另 T 是三极管的特征频率 T m f 2 f g b'e C = Cob b'c C 手册上的 另 是 课本P215